2 इंच Sic सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट 6H-N प्रकार 0.33mm 0.43mm डबल-साइड पॉलिशिंग उच्च थर्मल चालकता कमी वीज वापर

संक्षिप्त वर्णन:

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) ही उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि रासायनिक स्थिरता असलेली विस्तृत बँड गॅप सेमीकंडक्टर सामग्री आहे. प्रकार 6H-N सूचित करतो की त्याची क्रिस्टल रचना षटकोनी आहे (6H), आणि "N" सूचित करते की ती N-प्रकारची अर्धसंवाहक सामग्री आहे, जी सामान्यतः नायट्रोजन डोपिंगद्वारे प्राप्त केली जाते.
सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेटमध्ये उच्च दाब प्रतिरोध, उच्च तापमान प्रतिरोध, उच्च वारंवारता कार्यप्रदर्शन इत्यादी उत्कृष्ट वैशिष्ट्ये आहेत. सिलिकॉन उत्पादनांच्या तुलनेत, सिलिकॉन सब्सट्रेटद्वारे तयार केलेले डिव्हाइस नुकसान 80% कमी करू शकते आणि डिव्हाइसचा आकार 90% कमी करू शकते. नवीन ऊर्जा वाहनांच्या संदर्भात, सिलिकॉन कार्बाइड नवीन ऊर्जा वाहनांना वजन कमी करण्यास आणि तोटा कमी करण्यास आणि ड्रायव्हिंग श्रेणी वाढविण्यात मदत करू शकते; 5G संप्रेषणाच्या क्षेत्रात, ते संबंधित उपकरणांच्या निर्मितीसाठी वापरले जाऊ शकते; फोटोव्होल्टेईक वीज निर्मितीमध्ये रूपांतरण कार्यक्षमता सुधारू शकते; रेल्वे ट्रान्झिटचे क्षेत्र उच्च तापमान आणि उच्च दाब प्रतिरोधक वैशिष्ट्ये वापरू शकते.

आम्हाला ईमेल पाठवा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

2 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफरची वैशिष्ट्ये खालीलप्रमाणे आहेत

1. कडकपणा: मोहस कडकपणा सुमारे 9.2 आहे.
2. क्रिस्टल रचना: षटकोनी जाळीची रचना.
3. उच्च थर्मल चालकता: SiC ची थर्मल चालकता सिलिकॉनच्या तुलनेत खूप जास्त आहे, जी प्रभावी उष्णतेचे अपव्यय करण्यास अनुकूल आहे.
4. वाइड बँड गॅप: SiC चे बँड गॅप सुमारे 3.3eV आहे, उच्च तापमान, उच्च वारंवारता आणि उच्च उर्जा अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहे.
5. ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड आणि इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी: उच्च ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड आणि इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी, MOSFET आणि IGBT सारख्या कार्यक्षम पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी योग्य.
6. रासायनिक स्थिरता आणि रेडिएशन प्रतिरोध: एरोस्पेस आणि राष्ट्रीय संरक्षण सारख्या कठोर वातावरणासाठी योग्य. उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिकार, आम्ल, अल्कली आणि इतर रासायनिक सॉल्व्हेंट्स.
7. उच्च यांत्रिक शक्ती: उच्च तापमान आणि उच्च दाब वातावरणात उत्कृष्ट यांत्रिक सामर्थ्य.
हे उच्च उर्जा, उच्च वारंवारता आणि उच्च तापमान इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाऊ शकते, जसे की अल्ट्राव्हायोलेट फोटोडेटेक्टर, फोटोव्होल्टेइक इनव्हर्टर, इलेक्ट्रिक वाहन पीसीयू इ.

2 इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफरमध्ये अनेक अनुप्रयोग आहेत.

1. पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे: उच्च-कार्यक्षमता पॉवर MOSFET, IGBT आणि इतर उपकरणे तयार करण्यासाठी वापरली जातात, मोठ्या प्रमाणात पॉवर रूपांतरण आणि इलेक्ट्रिक वाहनांमध्ये वापरली जातात.

2.Rf उपकरणे: संप्रेषण उपकरणांमध्ये, SiC चा वापर उच्च-फ्रिक्वेंसी ॲम्प्लिफायर आणि RF पॉवर ॲम्प्लिफायरमध्ये केला जाऊ शकतो.

3.फोटोइलेक्ट्रिक उपकरणे: जसे की SIC-आधारित leds, विशेषत: निळ्या आणि अल्ट्राव्हायोलेट अनुप्रयोगांमध्ये.

4.सेन्सर्स: उच्च तापमान आणि रासायनिक प्रतिरोधकतेमुळे, SiC सबस्ट्रेट्सचा वापर उच्च तापमान सेन्सर आणि इतर सेन्सर अनुप्रयोग तयार करण्यासाठी केला जाऊ शकतो.

5.लष्करी आणि एरोस्पेस: उच्च तापमान प्रतिकार आणि उच्च सामर्थ्य वैशिष्ट्यांमुळे, अत्यंत वातावरणात वापरण्यासाठी योग्य.

6H-N प्रकार 2 "SIC सब्सट्रेटच्या मुख्य ऍप्लिकेशन फील्डमध्ये नवीन ऊर्जा वाहने, उच्च व्होल्टेज ट्रान्समिशन आणि ट्रान्सफॉर्मेशन स्टेशन्स, व्हाईट गुड्स, हाय-स्पीड ट्रेन्स, मोटर्स, फोटोव्होल्टेइक इन्व्हर्टर, पल्स पॉवर सप्लाय इत्यादींचा समावेश आहे.

XKH ग्राहकांच्या गरजेनुसार वेगवेगळ्या जाडीसह सानुकूलित केले जाऊ शकते. वेगवेगळ्या पृष्ठभागावरील खडबडीतपणा आणि पॉलिशिंग उपचार उपलब्ध आहेत. विविध प्रकारचे डोपिंग (जसे की नायट्रोजन डोपिंग) समर्थित आहेत. कस्टमायझेशनवर अवलंबून, मानक वितरण वेळ 2-4 आठवडे आहे. सब्सट्रेटची सुरक्षितता सुनिश्चित करण्यासाठी अँटी-स्टॅटिक पॅकेजिंग साहित्य आणि भूकंपविरोधी फोम वापरा. विविध शिपिंग पर्याय उपलब्ध आहेत आणि ग्राहक प्रदान केलेल्या ट्रॅकिंग नंबरद्वारे रिअल टाइममध्ये लॉजिस्टिकची स्थिती तपासू शकतात. वापरण्याच्या प्रक्रियेत ग्राहक समस्या सोडवू शकतील याची खात्री करण्यासाठी तांत्रिक समर्थन आणि सल्ला सेवा प्रदान करा.