एसआयसी
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१२ इंच एसआयसी सब्सट्रेट सिलिकॉन कार्बाइड प्राइम ग्रेड व्यास ३०० मिमी मोठा आकार ४H-N उच्च पॉवर उपकरण उष्णता नष्ट करण्यासाठी योग्य
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८ इंच SiC सिलिकॉन कार्बाइड वेफर ४H-N प्रकार ०.५ मिमी उत्पादन ग्रेड संशोधन ग्रेड कस्टम पॉलिश केलेले सब्सट्रेट
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पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्ससाठी HPSI SiC वेफर व्यास: 3 इंच जाडी: 350um± 25 µm
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३ इंच उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग （HPSI）SiC वेफर ३५०um डमी ग्रेड प्राइम ग्रेड
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पी-टाइप SiC सब्सट्रेट SiC वेफर Dia2inch नवीन उत्पादन
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८ इंच २०० मिमी सिलिकॉन कार्बाइड SiC वेफर्स ४H-N प्रकार उत्पादन ग्रेड ५०० मीटर जाडी
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२ इंच ६ एच-एन सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट सिक वेफर डबल पॉलिश केलेले कंडक्टिव्ह प्राइम ग्रेड मोस ग्रेड
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SiC सब्सट्रेट SiC एपि-वेफर कंडक्टिव्ह/सेमी टाईप ४ ६ ८ इंच
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पॉवर उपकरणांसाठी SiC एपिटॅक्सियल वेफर - 4H-SiC, N-प्रकार, कमी दोष घनता
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4H-N प्रकार SiC एपिटॅक्सियल वेफर उच्च व्होल्टेज उच्च वारंवारता
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३ इंच उच्च शुद्धता (अनडोप्ड) सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स सेमी-इन्सुलेटिंग सिक सबस्ट्रेट्स (HPSl)
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४H-N ८ इंच SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकॉन कार्बाइड डमी रिसर्च ग्रेड ५००um जाडी