2 इंच 50.8 मिमी सिलिकॉन कार्बाइड SiC वेफर्स डोपेड Si N-प्रकार उत्पादन संशोधन आणि डमी ग्रेड
2-इंच 4H-N undoped SiC वेफर्ससाठी पॅरामेट्रिक निकष समाविष्ट आहेत
सब्सट्रेट सामग्री: 4H सिलिकॉन कार्बाइड (4H-SiC)
क्रिस्टल रचना: टेट्राहेक्सहेड्रल (4H)
डोपिंग: पूर्ववत (4H-N)
आकार: 2 इंच
चालकता प्रकार: N-प्रकार (n-doped)
चालकता: सेमीकंडक्टर
मार्केट आउटलुक: 4H-N नॉन-डोपड SiC वेफर्सचे अनेक फायदे आहेत, जसे की उच्च थर्मल चालकता, कमी वहन कमी, उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोध आणि उच्च यांत्रिक स्थिरता, आणि त्यामुळे पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि RF ऍप्लिकेशन्समध्ये व्यापक बाजार दृष्टीकोन आहे. नूतनीकरणक्षम ऊर्जा, इलेक्ट्रिक वाहने आणि दळणवळणाच्या विकासासह, उच्च कार्यक्षमता, उच्च तापमान ऑपरेशन आणि उच्च पॉवर सहिष्णुता असलेल्या उपकरणांची वाढती मागणी आहे, जे 4H-N नॉन-डोपड SiC वेफर्ससाठी एक व्यापक बाजार संधी प्रदान करते.
उपयोग: 2-इंच 4H-N नॉन-डोपेड SiC वेफर्सचा वापर विविध पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि RF उपकरणे तयार करण्यासाठी केला जाऊ शकतो, ज्यात यासह परंतु इतकेच मर्यादित नाही:
1--4H-SiC MOSFETs: उच्च शक्ती/उच्च तापमान अनुप्रयोगांसाठी मेटल ऑक्साईड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर. उच्च कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता प्रदान करण्यासाठी या उपकरणांमध्ये कमी वहन आणि स्विचिंग नुकसान आहे.
2--4H-SiC JFETs: RF पॉवर ॲम्प्लिफायर आणि स्विचिंग ऍप्लिकेशन्ससाठी जंक्शन FETs. ही उपकरणे उच्च वारंवारता कार्यक्षमता आणि उच्च थर्मल स्थिरता देतात.
3--4H-SiC Schottky डायोड्स: उच्च शक्ती, उच्च तापमान, उच्च वारंवारता अनुप्रयोगांसाठी डायोड. ही उपकरणे कमी वहन आणि स्विचिंग लॉससह उच्च कार्यक्षमता देतात.
4--4H-SiC ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे: उच्च पॉवर लेसर डायोड, यूव्ही डिटेक्टर आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक इंटिग्रेटेड सर्किट्स यांसारख्या भागात वापरलेली उपकरणे. या उपकरणांमध्ये उच्च शक्ती आणि वारंवारता वैशिष्ट्ये आहेत.
सारांश, 2-इंच 4H-N नॉन-डोपेड SiC वेफर्समध्ये विशेषत: पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि RF मध्ये विस्तृत अनुप्रयोगांची क्षमता आहे. त्यांची उत्कृष्ट कामगिरी आणि उच्च-तापमान स्थिरता त्यांना उच्च-कार्यक्षमता, उच्च-तापमान आणि उच्च-शक्ती अनुप्रयोगांसाठी पारंपारिक सिलिकॉन सामग्री बदलण्यासाठी एक मजबूत दावेदार बनवते.
तपशीलवार आकृती
