२ इंच ५०.८ मिमी सिलिकॉन कार्बाइड SiC वेफर्स डोपेड Si N-प्रकार उत्पादन संशोधन आणि डमी ग्रेड

सब्सट्रेट मटेरियल: 4H सिलिकॉन कार्बाइड (4H-SiC)

क्रिस्टल रचना: टेट्राहेक्साहेड्रल (4H)

डोपिंग: अनडोप्ड (४H-N)

आकार: २ इंच

चालकता प्रकार: एन-प्रकार (एन-डोपेड)

चालकता: सेमीकंडक्टर

बाजार दृष्टिकोन: 4H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफर्सचे अनेक फायदे आहेत, जसे की उच्च थर्मल चालकता, कमी चालकता तोटा, उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिकार आणि उच्च यांत्रिक स्थिरता, आणि अशा प्रकारे पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि RF अनुप्रयोगांमध्ये व्यापक बाजारपेठ दृष्टीकोन आहे. अक्षय ऊर्जा, इलेक्ट्रिक वाहने आणि संप्रेषणांच्या विकासासह, उच्च कार्यक्षमता, उच्च तापमान ऑपरेशन आणि उच्च पॉवर सहिष्णुता असलेल्या उपकरणांची मागणी वाढत आहे, जी 4H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफर्ससाठी व्यापक बाजारपेठ संधी प्रदान करते.

उपयोग: २-इंच ४H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफर्सचा वापर विविध पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि RF उपकरणे तयार करण्यासाठी केला जाऊ शकतो, ज्यामध्ये हे समाविष्ट आहे परंतु इतकेच मर्यादित नाही:

१--४H-SiC MOSFETs: उच्च शक्ती/उच्च तापमान अनुप्रयोगांसाठी मेटल ऑक्साईड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रान्झिस्टर. उच्च कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता प्रदान करण्यासाठी या उपकरणांमध्ये कमी चालकता आणि स्विचिंग नुकसान आहे.

2--4H-SiC JFETs: RF पॉवर अॅम्प्लिफायर आणि स्विचिंग अॅप्लिकेशन्ससाठी जंक्शन FETs. ही उपकरणे उच्च वारंवारता कार्यक्षमता आणि उच्च थर्मल स्थिरता देतात.

३--४H-SiC स्कॉटकी डायोड्स: उच्च शक्ती, उच्च तापमान, उच्च वारंवारता अनुप्रयोगांसाठी डायोड्स. ही उपकरणे कमी चालकता आणि स्विचिंग नुकसानासह उच्च कार्यक्षमता देतात.

४--४H-SiC ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे: उच्च पॉवर लेसर डायोड, यूव्ही डिटेक्टर आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक इंटिग्रेटेड सर्किट्स सारख्या क्षेत्रात वापरली जाणारी उपकरणे. या उपकरणांमध्ये उच्च पॉवर आणि फ्रिक्वेन्सी वैशिष्ट्ये आहेत.

थोडक्यात, २-इंच ४H-N नॉन-डोप्ड SiC वेफर्समध्ये विस्तृत अनुप्रयोगांची क्षमता आहे, विशेषतः पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि RF मध्ये. त्यांची उत्कृष्ट कार्यक्षमता आणि उच्च-तापमान स्थिरता त्यांना उच्च-कार्यक्षमता, उच्च-तापमान आणि उच्च-शक्ती अनुप्रयोगांसाठी पारंपारिक सिलिकॉन सामग्रीची जागा घेण्यासाठी एक मजबूत दावेदार बनवते.