६ इंच-८ इंच एलएन-ऑन-एसआय कंपोझिट सब्सट्रेट जाडी ०.३-५० μm Si/SiC/मटेरियलचा नीलमणी

६-इंच ते ८-इंच एलएन-ऑन-सी कंपोझिट सब्सट्रेट त्याच्या अद्वितीय मटेरियल गुणधर्मांमुळे आणि ट्युनेबल पॅरामीटर्समुळे वेगळे आहे, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उद्योगांमध्ये व्यापक वापर शक्य होतो:

१. मोठी वेफर सुसंगतता: ६-इंच ते ८-इंच वेफर आकार विद्यमान सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशन लाइन्स (उदा., CMOS प्रक्रिया) सह अखंड एकात्मता सुनिश्चित करतो, उत्पादन खर्च कमी करतो आणि मोठ्या प्रमाणात उत्पादन सक्षम करतो.

२.उच्च स्फटिकीय गुणवत्ता: ऑप्टिमाइज्ड एपिटॅक्सियल किंवा बाँडिंग तंत्रे LN पातळ फिल्ममध्ये कमी दोष घनता सुनिश्चित करतात, ज्यामुळे ते उच्च-कार्यक्षमता ऑप्टिकल मॉड्युलेटर, पृष्ठभाग ध्वनिक लहरी (SAW) फिल्टर आणि इतर अचूक उपकरणांसाठी आदर्श बनते.

३. समायोज्य जाडी (०.३–५० μm): अल्ट्राथिन एलएन थर (<१ μm) एकात्मिक फोटोनिक चिप्ससाठी योग्य आहेत, तर जाड थर (१०–५० μm) उच्च-शक्तीच्या आरएफ उपकरणांना किंवा पायझोइलेक्ट्रिक सेन्सर्सना समर्थन देतात.

४. अनेक सब्सट्रेट पर्याय: Si व्यतिरिक्त, उच्च-फ्रिक्वेन्सी, उच्च-तापमान किंवा उच्च-शक्ती अनुप्रयोगांच्या मागण्या पूर्ण करण्यासाठी SiC (उच्च थर्मल चालकता) किंवा नीलमणी (उच्च इन्सुलेशन) हे बेस मटेरियल म्हणून निवडले जाऊ शकतात.

५. थर्मल आणि यांत्रिक स्थिरता: सिलिकॉन सब्सट्रेट मजबूत यांत्रिक आधार प्रदान करते, प्रक्रियेदरम्यान वार्पिंग किंवा क्रॅकिंग कमी करते आणि उपकरणाचे उत्पन्न सुधारते.

या गुणधर्मांमुळे 5G कम्युनिकेशन्स, LiDAR आणि क्वांटम ऑप्टिक्स सारख्या अत्याधुनिक तंत्रज्ञानासाठी 6-इंच ते 8-इंच LN-ऑन-Si कंपोझिट सब्सट्रेटला पसंतीचे साहित्य म्हणून स्थान मिळते.