८ इंच २०० मिमी ४H-N SiC वेफर कंडक्टिव्ह डमी रिसर्च ग्रेड

त्याच्या अद्वितीय भौतिक आणि इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्मांमुळे, २०० मिमी SiC वेफर सेमीकंडक्टर मटेरियलचा वापर उच्च-कार्यक्षमता, उच्च-तापमान, रेडिएशन-प्रतिरोधक आणि उच्च-फ्रिक्वेन्सी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे तयार करण्यासाठी केला जातो. तंत्रज्ञान अधिक प्रगत होत असताना आणि मागणी वाढत असताना ८ इंच SiC सब्सट्रेटची किंमत हळूहळू कमी होत आहे. अलीकडील तंत्रज्ञानाच्या विकासामुळे २०० मिमी SiC वेफर्सचे उत्पादन प्रमाणात उत्पादन होते. Si आणि GaAs वेफर्सच्या तुलनेत SiC वेफर सेमीकंडक्टर मटेरियलचे मुख्य फायदे: हिमस्खलन ब्रेकडाउन दरम्यान ४H-SiC ची विद्युत क्षेत्र शक्ती Si आणि GaAs साठी संबंधित मूल्यांपेक्षा अनेक परिमाणांपेक्षा जास्त असते. यामुळे ऑन-स्टेट रेझिस्टिव्हिटी रॉनमध्ये लक्षणीय घट होते. कमी ऑन-स्टेट रेझिस्टिव्हिटी, उच्च करंट घनता आणि थर्मल चालकता एकत्रितपणे, पॉवर डिव्हाइसेससाठी खूप लहान डाय वापरण्यास अनुमती देते. SiC ची उच्च थर्मल चालकता चिपचा थर्मल रेझिस्टन्स कमी करते. SiC वेफर्सवर आधारित उपकरणांचे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म कालांतराने खूप स्थिर असतात आणि तापमानावर स्थिर असतात, जे उत्पादनांची उच्च विश्वासार्हता सुनिश्चित करते. सिलिकॉन कार्बाइड हे कठीण किरणोत्सर्गाला अत्यंत प्रतिरोधक आहे, ज्यामुळे चिपचे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म खराब होत नाहीत. क्रिस्टलचे उच्च मर्यादित ऑपरेटिंग तापमान (6000C पेक्षा जास्त) तुम्हाला कठोर ऑपरेटिंग परिस्थिती आणि विशेष अनुप्रयोगांसाठी अत्यंत विश्वासार्ह उपकरणे तयार करण्यास अनुमती देते. सध्या, आम्ही लहान बॅच 200mmSiC वेफर्स स्थिर आणि सतत पुरवू शकतो आणि गोदामात काही स्टॉक आहे.