8 इंच 200 मिमी 4H-N SiC वेफर कंडक्टिव डमी संशोधन ग्रेड

त्याच्या अद्वितीय भौतिक आणि इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्मांमुळे, 200mm SiC वेफर सेमीकंडक्टर सामग्रीचा वापर उच्च-कार्यक्षमता, उच्च-तापमान, रेडिएशन-प्रतिरोधक आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे तयार करण्यासाठी केला जातो. 8 इंच SiC सब्सट्रेटची किंमत हळूहळू कमी होत आहे कारण तंत्रज्ञान अधिक प्रगत होते आणि मागणी वाढते. अलीकडील तंत्रज्ञानाच्या विकासामुळे 200mm SiC वेफर्सचे उत्पादन मोठ्या प्रमाणावर होते. Si आणि GaAs वेफर्सच्या तुलनेत SiC वेफर सेमीकंडक्टर मटेरियलचे मुख्य फायदे: हिमस्खलन ब्रेकडाऊन दरम्यान 4H-SiC चे इलेक्ट्रिक फील्ड स्ट्रेंथ Si आणि GaAs च्या संबंधित व्हॅल्यूपेक्षा मॅग्निट्यूडच्या ऑर्डरपेक्षा जास्त आहे. यामुळे ऑन-स्टेट रेझिस्टिव्हिटी रॉनमध्ये लक्षणीय घट होते. कमी ऑन-स्टेट प्रतिरोधकता, उच्च वर्तमान घनता आणि थर्मल चालकता एकत्रितपणे, पॉवर उपकरणांसाठी खूप लहान डाय वापरण्याची परवानगी देते. SiC ची उच्च थर्मल चालकता चिपचा थर्मल प्रतिरोध कमी करते. SiC वेफर्सवर आधारित उपकरणांचे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म कालांतराने आणि तापमान स्थिरतेवर खूप स्थिर असतात, ज्यामुळे उत्पादनांची उच्च विश्वासार्हता सुनिश्चित होते. सिलिकॉन कार्बाइड हार्ड रेडिएशनला अत्यंत प्रतिरोधक आहे, ज्यामुळे चिपचे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म खराब होत नाहीत. क्रिस्टलचे उच्च मर्यादित ऑपरेटिंग तापमान (6000C पेक्षा जास्त) आपल्याला कठोर ऑपरेटिंग परिस्थिती आणि विशेष अनुप्रयोगांसाठी अत्यंत विश्वासार्ह उपकरणे तयार करण्यास अनुमती देते. सध्या, आम्ही लहान बॅच 200mmSiC वेफर्स स्थिरपणे आणि सतत पुरवू शकतो आणि गोदामात थोडासा साठा आहे.