GaN एपिटॅक्सी वेफर

४-इंच काचेवर GaN: JGS1, JGS2, BF33 आणि सामान्य क्वार्ट्जसह सानुकूल करण्यायोग्य काचेचे पर्याय
सिलिकॉन वेफरवर गॅलियम नायट्राइड ४ इंच ६ इंच तयार केलेले Si सब्सट्रेट ओरिएंटेशन, रेझिस्टिव्हिटी आणि N-टाइप/P-टाइप पर्याय
कस्टमाइज्ड GaN-ऑन-SiC एपिटॅक्सियल वेफर्स (१०० मिमी, १५० मिमी) – अनेक SiC सब्सट्रेट पर्याय (४H-N, HPSI, ४H/६H-P)
GaN-ऑन-डायमंड वेफर्स ४ इंच ६ इंच एकूण एपि जाडी (मायक्रॉन) ०.६ ~ २.५ किंवा उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगांसाठी सानुकूलित