५G/६G कम्युनिकेशन्ससाठी LiTaO3 वेफर २ इंच-८ इंच १०x१०x०.५ मिमी १ स्पून २ स्पून

LiTaO3 वेफर २ इंच-८ इंच १०x१०x०.५ मिमी १ स्पून २ स्पून ५G/६G कम्युनिकेशन्ससाठी वैशिष्ट्यीकृत प्रतिमा

संक्षिप्त वर्णन:

तिसऱ्या पिढीतील अर्धसंवाहक आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्समधील एक महत्त्वाचा पदार्थ, LiTaO3 वेफर (लिथियम टॅन्टालेट वेफर), त्याचे उच्च क्युरी तापमान (610°C), विस्तृत पारदर्शकता श्रेणी (0.4–5.0 μm), सुपीरियर पायझोइलेक्ट्रिक गुणांक (d33 > 1,500 pC/N), आणि कमी डायलेक्ट्रिक तोटा (tanδ < 2%) वापरतो ज्यामुळे 5G कम्युनिकेशन्स, फोटोनिक इंटिग्रेशन आणि क्वांटम डिव्हाइसेसमध्ये क्रांती घडते. भौतिक वाष्प वाहतूक (PVT) आणि रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) सारख्या प्रगत फॅब्रिकेशन तंत्रज्ञानाचा वापर करून, XKH 2-8-इंच फॉरमॅटमध्ये X/Y/Z-कट, 42°Y-कट आणि कालांतराने पोल्ड (PPLT) वेफर्स प्रदान करते, ज्यामध्ये पृष्ठभागाची खडबडीतता (Ra) <0.5 nm आणि मायक्रोपाइप घनता <0.1 cm⁻² आहे. आमच्या सेवांमध्ये Fe डोपिंग, रासायनिक घट आणि स्मार्ट-कट विषम एकत्रीकरण, उच्च-कार्यक्षमता ऑप्टिकल फिल्टर, इन्फ्रारेड डिटेक्टर आणि क्वांटम प्रकाश स्रोतांना संबोधित करणे समाविष्ट आहे. या मटेरियलमुळे लघुकरण, उच्च-फ्रिक्वेन्सी ऑपरेशन आणि थर्मल स्थिरतेमध्ये प्रगती होते, ज्यामुळे महत्त्वाच्या तंत्रज्ञानामध्ये देशांतर्गत प्रतिस्थापनाला गती मिळते.

आम्हाला ईमेल पाठवा

वैशिष्ट्ये

तांत्रिक बाबी

नाव	ऑप्टिकल-ग्रेड LiTaO3	ध्वनी सारणी पातळी LiTaO3
अक्षीय	झेड कट + / - ०.२°	३६° वाय कट / ४२° वाय कट / X कट (+ / - ०.२°)
व्यास	७६.२ मिमी + / - ०.३ मिमी/ १००±०.२ मिमी	७६.२ मिमी + /-०.३ मिमी १०० मिमी + /-०.३ मिमी ० आर १५०±०.५ मिमी
डेटाम प्लेन	२२ मिमी + / - २ मिमी	२२ मिमी + /-२ मिमी ३२ मिमी + /-२ मिमी
जाडी	५००अंश + /-५ मिमी १०००अंश + /-५ मिमी	५००अंश + /-२० मिमी ३५० मिमी + /-२० मिमी
टीटीव्ही	≤ १० अंश	≤ १० अंश
क्युरी तापमान	६०५ °C + / - ०.७ °C (DTA पद्धत)	६०५ °C + / -३ °C (DTA पद्धत)
पृष्ठभागाची गुणवत्ता	दुहेरी बाजूंनी पॉलिशिंग	दुहेरी बाजूंनी पॉलिशिंग
चांफेर्ड कडा	कडा गोलाकार करणे	कडा गोलाकार करणे

प्रमुख वैशिष्ट्ये

१.इलेक्ट्रिकल आणि ऑप्टिकल कामगिरी
· इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक: r33 30 pm/V (X-कट) पर्यंत पोहोचतो, जो LiNbO3 पेक्षा 1.5× जास्त आहे, ज्यामुळे अल्ट्रा-वाइडबँड इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्युलेशन (>40 GHz बँडविड्थ) सक्षम होते.
· ब्रॉड स्पेक्ट्रल रिस्पॉन्स: ट्रान्समिशन रेंज ०.४–५.० μm (८ मिमी जाडी), अल्ट्राव्हायोलेट शोषण धार २८० एनएम इतकी कमी, यूव्ही लेसर आणि क्वांटम डॉट उपकरणांसाठी आदर्श.
· कमी पायरोइलेक्ट्रिक गुणांक: dP/dT = 3.5×10⁻⁴ C/(m²·K), उच्च-तापमानाच्या इन्फ्रारेड सेन्सर्समध्ये स्थिरता सुनिश्चित करते.

२.औष्णिक आणि यांत्रिक गुणधर्म
· उच्च औष्णिक चालकता: ४.६ W/m·K (X-कट), क्वार्ट्जपेक्षा चौपट, -२००–५००°C औष्णिक सायकलिंग टिकवून ठेवते.
· कमी थर्मल एक्सपेंशन गुणांक: CTE = 4.1×10⁻⁶/K (25–1000°C), थर्मल ताण कमी करण्यासाठी सिलिकॉन पॅकेजिंगशी सुसंगत.
३.दोष नियंत्रण आणि प्रक्रिया अचूकता
· मायक्रोपाइप घनता: <0.1 सेमी⁻² (8-इंच वेफर्स), विस्थापन घनता <500 सेमी⁻² (KOH एचिंगद्वारे सत्यापित).
· पृष्ठभागाची गुणवत्ता: CMP-पॉलिश केलेले Ra <0.5 nm पर्यंत, EUV लिथोग्राफी-ग्रेड फ्लॅटनेस आवश्यकता पूर्ण करते.

प्रमुख अनुप्रयोग

डोमेन	अर्ज परिस्थिती	तांत्रिक फायदे
ऑप्टिकल कम्युनिकेशन्स	१०० ग्रॅम/४०० ग्रॅम डीडब्ल्यूडीएम लेसर, सिलिकॉन फोटोनिक्स हायब्रिड मॉड्यूल	LiTaO3 वेफरचे ब्रॉड स्पेक्ट्रल ट्रान्समिशन आणि कमी वेव्हगाइड लॉस (α <0.1 dB/cm) सी-बँड विस्तार सक्षम करतात.
५जी/६जी कम्युनिकेशन्स	SAW फिल्टर्स (१.८–३.५ GHz), BAW-SMR फिल्टर्स	४२°Y-कट वेफर्स Kt² >१५% पर्यंत पोहोचतात, ज्यामुळे कमी इन्सर्शन लॉस (<१.५ dB) आणि उच्च रोल-ऑफ (>३० dB) मिळतो.
क्वांटम टेक्नॉलॉजीज	सिंगल-फोटॉन डिटेक्टर, पॅरामीट्रिक डाउन-रूपांतरण स्रोत	उच्च नॉनलाइनर कोएन्शियंट (χ(2)=40 pm/V) आणि कमी डार्क काउंट रेट (<100 काउंट/सेकंद) क्वांटम फिडेलिटी वाढवतात.
औद्योगिक संवेदना	उच्च-तापमान दाब सेन्सर्स, करंट ट्रान्सफॉर्मर	LiTaO3 वेफरचा पायझोइलेक्ट्रिक प्रतिसाद (g33 >20 mV/m) आणि उच्च-तापमान सहनशीलता (>400°C) अत्यंत वातावरणास अनुकूल आहे.

XKH सेवा

१. कस्टम वेफर फॅब्रिकेशन

· आकार आणि कटिंग: X/Y/Z-कट, 42°Y-कट आणि कस्टम अँगुलर कट्स (±0.01° टॉलरन्स) असलेले 2-8-इंच वेफर्स.

· डोपिंग नियंत्रण: इलेक्ट्रो-ऑप्टिक गुणांक आणि थर्मल स्थिरता ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी झोक्राल्स्की पद्धतीने (एकाग्रता श्रेणी 10¹⁶–10¹⁹ सेमी⁻³) Fe, Mg डोपिंग.

२.प्रगत प्रक्रिया तंत्रज्ञान

· पीरियडिक पोलिंग (PPLT): LTOI वेफर्ससाठी स्मार्ट-कट तंत्रज्ञान, ±10 nm डोमेन पीरियड प्रेसिजन आणि क्वासी-फेज-मॅच्ड (QPM) फ्रिक्वेन्सी रूपांतरण साध्य करते.

· विषम एकत्रीकरण: उच्च-फ्रिक्वेन्सी SAW फिल्टरसाठी जाडी नियंत्रण (300-600 nm) आणि 8.78 W/m·K पर्यंत थर्मल चालकता असलेले Si-आधारित LiTaO3 कंपोझिट वेफर्स (POI).

३.गुणवत्ता व्यवस्थापन प्रणाली

· एंड-टू-एंड चाचणी: रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी (पॉलीटाइप पडताळणी), एक्सआरडी (स्फटिकता), एएफएम (पृष्ठभाग आकारविज्ञान), आणि ऑप्टिकल एकरूपता चाचणी (Δn <5×10⁻⁵).

४.जागतिक पुरवठा साखळी समर्थन

· उत्पादन क्षमता: मासिक उत्पादन ५,००० वेफर्सपेक्षा जास्त (८-इंच: ७०%), ४८ तासांच्या आपत्कालीन वितरणासह.

· लॉजिस्टिक्स नेटवर्क: तापमान-नियंत्रित पॅकेजिंगसह हवाई/समुद्री मालवाहतुकीद्वारे युरोप, उत्तर अमेरिका आणि आशिया-पॅसिफिकमध्ये कव्हरेज.