सध्या, आमची कंपनी 8inchN प्रकारच्या SiC वेफर्सच्या लहान बॅचचा पुरवठा सुरू ठेवू शकते, जर तुम्हाला नमुन्याची आवश्यकता असेल, तर कृपया माझ्याशी निःसंकोचपणे संपर्क साधा. आमच्याकडे काही सॅम्पल वेफर्स पाठवायला तयार आहेत.
सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या क्षेत्रात, कंपनीने मोठ्या आकाराच्या SiC क्रिस्टल्सच्या संशोधन आणि विकासामध्ये मोठी प्रगती केली आहे. व्यास वाढवण्याच्या अनेक फेऱ्यांनंतर स्वतःचे बियाणे क्रिस्टल्स वापरून, कंपनीने 8-इंच एन-टाइप SiC क्रिस्टल्स यशस्वीरित्या वाढवले आहेत, जे वाढीच्या प्रक्रियेत असमान तापमान क्षेत्र, क्रिस्टल क्रॅकिंग आणि गॅस फेज कच्च्या मालाचे वितरण यासारख्या कठीण समस्यांचे निराकरण करते. 8-इंच SIC क्रिस्टल्स, आणि मोठ्या आकाराच्या SIC क्रिस्टल्स आणि स्वायत्त आणि नियंत्रणीय प्रक्रिया तंत्रज्ञानाच्या वाढीला गती देते. SiC सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट उद्योगात कंपनीची मुख्य स्पर्धात्मकता मोठ्या प्रमाणात वाढवते. त्याच वेळी, कंपनी मोठ्या आकाराच्या सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट तयार करण्याच्या प्रायोगिक लाइनच्या तंत्रज्ञानाच्या संचयना आणि प्रक्रियेस सक्रियपणे प्रोत्साहन देते, अपस्ट्रीम आणि डाउनस्ट्रीम फील्डमध्ये तांत्रिक देवाणघेवाण आणि औद्योगिक सहयोग मजबूत करते आणि उत्पादनाची कामगिरी सतत पुनरावृत्ती करण्यासाठी ग्राहकांशी सहयोग करते, आणि संयुक्तपणे. सिलिकॉन कार्बाइड सामग्रीच्या औद्योगिक वापराच्या गतीला प्रोत्साहन देते.
| 8 इंच N-प्रकार SiC DSP चष्मा | |||||
| क्रमांक | आयटम | युनिट | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| 1. पॅरामीटर्स | |||||
| १.१ | पॉलीटाइप | -- | 4H | 4H | 4H |
| १.२ | पृष्ठभाग अभिमुखता | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर | |||||
| २.१ | डोपंट | -- | n-प्रकार नायट्रोजन | n-प्रकार नायट्रोजन | n-प्रकार नायट्रोजन |
| २.२ | प्रतिरोधकता | ओम · सेमी | ०.०१५~०.०२५ | ०.०१~०.०३ | NA |
| 3. यांत्रिक पॅरामीटर | |||||
| ३.१ | व्यास | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| ३.२ | जाडी | μm | ५००±२५ | ५००±२५ | ५००±२५ |
| ३.३ | खाच अभिमुखता | ° | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ |
| ३.४ | खाच खोली | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| ३.५ | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| ३.६ | TTV | μm | ≤१० | ≤१० | ≤१५ |
| ३.७ | धनुष्य | μm | -२५~२५ | -४५~४५ | -६५~६५ |
| ३.८ | ताना | μm | ≤३० | ≤50 | ≤७० |
| ३.९ | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. रचना | |||||
| ४.१ | मायक्रोपाईप घनता | ea/cm2 | ≤2 | ≤१० | ≤50 |
| ४.२ | धातू सामग्री | अणू/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| ४.३ | TSD | ea/cm2 | ≤५०० | ≤1000 | NA |
| ४.४ | बीपीडी | ea/cm2 | ≤2000 | ≤५००० | NA |
| ४.५ | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. सकारात्मक गुणवत्ता | |||||
| ५.१ | समोर | -- | Si | Si | Si |
| ५.२ | पृष्ठभाग समाप्त | -- | सी-फेस सीएमपी | सी-फेस सीएमपी | सी-फेस सीएमपी |
| ५.३ | कण | ea/वेफर | ≤100(आकार≥0.3μm) | NA | NA |
| ५.४ | स्क्रॅच | ea/वेफर | ≤5, एकूण लांबी≤200mm | NA | NA |
| ५.५ | काठ चिप्स/इंडेंट्स/क्रॅक/डाग/दूषितता | -- | काहीही नाही | काहीही नाही | NA |
| ५.६ | पॉलीटाइप क्षेत्रे | -- | काहीही नाही | क्षेत्रफळ ≤10% | क्षेत्रफळ ≤30% |
| ५.७ | समोर चिन्हांकन | -- | काहीही नाही | काहीही नाही | काहीही नाही |
| 6. परत गुणवत्ता | |||||
| ६.१ | परत समाप्त | -- | सी-फेस खासदार | सी-फेस खासदार | सी-फेस खासदार |
| ६.२ | स्क्रॅच | mm | NA | NA | NA |
| ६.३ | परत दोष धार चिप्स/इंडेंट्स | -- | काहीही नाही | काहीही नाही | NA |
| ६.४ | मागे उग्रपणा | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| ६.५ | मागे मार्किंग | -- | खाच | खाच | खाच |
| 7. काठ | |||||
| ७.१ | धार | -- | चांफर | चांफर | चांफर |
| 8. पॅकेज | |||||
| ८.१ | पॅकेजिंग | -- | व्हॅक्यूमसह एपि-तयार पॅकेजिंग | व्हॅक्यूमसह एपि-तयार पॅकेजिंग | व्हॅक्यूमसह एपि-तयार पॅकेजिंग |
| ८.२ | पॅकेजिंग | -- | मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग |
पोस्ट वेळ: एप्रिल-18-2023