सध्या, आमची कंपनी 8 इंचN प्रकारच्या SiC वेफर्सच्या छोट्या बॅचचा पुरवठा सुरू ठेवू शकते, जर तुम्हाला नमुना गरज असेल तर कृपया माझ्याशी संपर्क साधा. आमच्याकडे काही नमुना वेफर्स पाठवण्यासाठी तयार आहेत.
सेमीकंडक्टर मटेरियलच्या क्षेत्रात, कंपनीने मोठ्या आकाराच्या SiC क्रिस्टल्सच्या संशोधन आणि विकासात एक मोठी प्रगती केली आहे. व्यासाच्या वाढीच्या अनेक फेऱ्यांनंतर स्वतःच्या सीड क्रिस्टल्सचा वापर करून, कंपनीने 8-इंच N-प्रकार SiC क्रिस्टल्स यशस्वीरित्या वाढवले आहेत, जे 8-इंच SIC क्रिस्टल्सच्या वाढीच्या प्रक्रियेत असमान तापमान क्षेत्र, क्रिस्टल क्रॅकिंग आणि गॅस फेज कच्च्या मालाचे वितरण यासारख्या कठीण समस्या सोडवते आणि मोठ्या आकाराच्या SIC क्रिस्टल्स आणि स्वायत्त आणि नियंत्रित प्रक्रिया तंत्रज्ञानाच्या वाढीला गती देते. SiC सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट उद्योगात कंपनीची मुख्य स्पर्धात्मकता मोठ्या प्रमाणात वाढवते. त्याच वेळी, कंपनी मोठ्या आकाराच्या सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट तयारी प्रायोगिक लाइनच्या तंत्रज्ञानाच्या संचयन आणि प्रक्रियेला सक्रियपणे प्रोत्साहन देते, अपस्ट्रीम आणि डाउनस्ट्रीम फील्डमध्ये तांत्रिक देवाणघेवाण आणि औद्योगिक सहकार्य मजबूत करते आणि उत्पादन कामगिरी सतत पुनरावृत्ती करण्यासाठी ग्राहकांशी सहयोग करते आणि संयुक्तपणे सिलिकॉन कार्बाइड मटेरियलच्या औद्योगिक वापराच्या गतीला प्रोत्साहन देते.
| ८ इंच एन-टाइप SiC DSP स्पेक्स | |||||
| क्रमांक | आयटम | युनिट | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| १. पॅरामीटर्स | |||||
| १.१ | पॉलीटाइप | -- | 4H | 4H | 4H |
| १.२ | पृष्ठभागाची दिशा | ° | <११-२०>४±०.५ | <११-२०>४±०.५ | <११-२०>४±०.५ |
| २. इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर | |||||
| २.१ | डोपंट | -- | एन-प्रकार नायट्रोजन | एन-प्रकार नायट्रोजन | एन-प्रकार नायट्रोजन |
| २.२ | प्रतिरोधकता | ओम ·सेमी | ०.०१५~०.०२५ | ०.०१~०.०३ | NA |
| ३. यांत्रिक पॅरामीटर | |||||
| ३.१ | व्यास | mm | २००±०.२ | २००±०.२ | २००±०.२ |
| ३.२ | जाडी | मायक्रॉन | ५००±२५ | ५००±२५ | ५००±२५ |
| ३.३ | नॉच ओरिएंटेशन | ° | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ | [१- १००]±५ |
| ३.४ | खाच खोली | mm | १~१.५ | १~१.५ | १~१.५ |
| ३.५ | एलटीव्ही | मायक्रॉन | ≤५(१० मिमी*१० मिमी) | ≤५(१० मिमी*१० मिमी) | ≤१०(१० मिमी*१० मिमी) |
| ३.६ | टीटीव्ही | मायक्रॉन | ≤१० | ≤१० | ≤१५ |
| ३.७ | धनुष्य | मायक्रॉन | -२५~२५ | -४५~४५ | -६५~६५ |
| ३.८ | वार्प | मायक्रॉन | ≤३० | ≤५० | ≤७० |
| ३.९ | एएफएम | nm | रॅ≤०.२ | रॅ≤०.२ | रॅ≤०.२ |
| ४. संरचना | |||||
| ४.१ | मायक्रोपाइप घनता | ईए/सेमी२ | ≤२ | ≤१० | ≤५० |
| ४.२ | धातूचे प्रमाण | अणू/सेमी२ | ≤१E११ | ≤१E११ | NA |
| ४.३ | टीएसडी | ईए/सेमी२ | ≤५०० | ≤१००० | NA |
| ४.४ | बीपीडी | ईए/सेमी२ | ≤२००० | ≤५००० | NA |
| ४.५ | टेड | ईए/सेमी२ | ≤७००० | ≤१०००० | NA |
| ५. सकारात्मक गुणवत्ता | |||||
| ५.१ | समोर | -- | Si | Si | Si |
| ५.२ | पृष्ठभाग पूर्ण करणे | -- | सी-फेस सीएमपी | सी-फेस सीएमपी | सी-फेस सीएमपी |
| ५.३ | कण | ईए/वेफर | ≤१०० (आकार≥०.३μm) | NA | NA |
| ५.४ | ओरखडा | ईए/वेफर | ≤5, एकूण लांबी≤200 मिमी | NA | NA |
| ५.५ | काठ चिप्स/इंडेंट्स/क्रॅक/डाग/दूषितता | -- | काहीही नाही | काहीही नाही | NA |
| ५.६ | पॉलीटाइप क्षेत्रे | -- | काहीही नाही | क्षेत्रफळ ≤१०% | क्षेत्रफळ ≤३०% |
| ५.७ | समोरील बाजूचे चिन्हांकन | -- | काहीही नाही | काहीही नाही | काहीही नाही |
| ६. मागील गुणवत्ता | |||||
| ६.१ | बॅक फिनिश | -- | सी-फेस एमपी | सी-फेस एमपी | सी-फेस एमपी |
| ६.२ | ओरखडा | mm | NA | NA | NA |
| ६.३ | पाठीच्या कडा दोष चिप्स/इंडेंट्स | -- | काहीही नाही | काहीही नाही | NA |
| ६.४ | पाठीचा खडबडीतपणा | nm | रा≤5 | रा≤5 | रा≤5 |
| ६.५ | मागे मार्किंग | -- | खाच | खाच | खाच |
| ७. कडा | |||||
| ७.१ | धार | -- | चेंफर | चेंफर | चेंफर |
| ८. पॅकेज | |||||
| ८.१ | पॅकेजिंग | -- | व्हॅक्यूमसह एपि-रेडी पॅकेजिंग | व्हॅक्यूमसह एपि-रेडी पॅकेजिंग | व्हॅक्यूमसह एपि-रेडी पॅकेजिंग |
| ८.२ | पॅकेजिंग | -- | मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग |
पोस्ट वेळ: एप्रिल-१८-२०२३