ऑटोमोटिव्ह, अक्षय ऊर्जा आणि एरोस्पेस क्षेत्रातील उच्च-शक्ती, उच्च-फ्रिक्वेन्सी आणि उच्च-तापमान इलेक्ट्रॉनिक्ससाठी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर्स पसंतीचे सब्सट्रेट बनले आहेत. आमच्या पोर्टफोलिओमध्ये प्रमुख पॉलीटाइप्स आणि डोपिंग योजनांचा समावेश आहे - नायट्रोजन-डोपेड 4H (4H-N), उच्च-शुद्धता सेमी-इन्सुलेटिंग (HPSI), नायट्रोजन-डोपेड 3C (3C-N), आणि p-प्रकार 4H/6H (4H/6H-P)- हे तीन दर्जेदार ग्रेडमध्ये ऑफर केले जातात: PRIME (पूर्णपणे पॉलिश केलेले, डिव्हाइस-ग्रेड सब्सट्रेट्स), डमी (प्रक्रिया चाचण्यांसाठी लॅप केलेले किंवा अनपॉलिश केलेले), आणि रिसर्च (R&D साठी कस्टम एपि लेयर्स आणि डोपिंग प्रोफाइल). वेफर व्यास 2″, 4″, 6″, 8″ आणि 12″ पर्यंत पसरतात जे लेगसी टूल्स आणि प्रगत फॅब्स दोन्हीसाठी योग्य आहेत. आम्ही इन-हाऊस क्रिस्टल वाढीस समर्थन देण्यासाठी मोनोक्रिस्टलाइन बाउल्स आणि अचूकपणे ओरिएंटेड सीड क्रिस्टल्स देखील पुरवतो.

आमच्या 4H-N वेफर्समध्ये 1×10¹⁶ ते 1×10¹⁹ cm⁻³ पर्यंत वाहक घनता आणि 0.01–10 Ω·cm प्रतिरोधकता आहे, ज्यामुळे उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि 2 MV/cm पेक्षा जास्त ब्रेकडाउन फील्ड मिळतात—शॉटकी डायोड, MOSFET आणि JFET साठी आदर्श. HPSI सब्सट्रेट्स 0.1 cm⁻² पेक्षा कमी मायक्रोपाइप घनतेसह 1×10¹² Ω·cm प्रतिरोधकता ओलांडतात, ज्यामुळे RF आणि मायक्रोवेव्ह उपकरणांसाठी किमान गळती सुनिश्चित होते. 2″ आणि 4″ स्वरूपात उपलब्ध असलेले क्यूबिक 3C-N, सिलिकॉनवर हेटेरोएपिटॅक्सी सक्षम करते आणि नवीन फोटोनिक आणि MEMS अनुप्रयोगांना समर्थन देते. P-प्रकार 4H/6H-P वेफर्स, 1×10¹⁶–5×10¹⁸ cm⁻³ पर्यंत अॅल्युमिनियमसह डोप केलेले, पूरक डिव्हाइस आर्किटेक्चर सुलभ करतात.

PRIME वेफर्सना <0.2 nm RMS पृष्ठभागाच्या खडबडीतपणापर्यंत रासायनिक-यांत्रिक पॉलिशिंग, एकूण जाडी 3 µm पेक्षा कमी फरक आणि <10 µm पर्यंत पॉलिशिंग केले जाते. डमी सब्सट्रेट्स असेंब्ली आणि पॅकेजिंग चाचण्यांना गती देतात, तर RESEARCH वेफर्समध्ये 2-30 µm च्या एपि-लेयर जाडी आणि बेस्पोक डोपिंग असते. सर्व उत्पादने एक्स-रे डिफ्रॅक्शन (रॉकिंग वक्र <30 आर्कसेक) आणि रमन स्पेक्ट्रोस्कोपीद्वारे प्रमाणित केली जातात, इलेक्ट्रिकल चाचण्यांसह - हॉल मापन, C-V प्रोफाइलिंग आणि मायक्रोपाइप स्कॅनिंग - JEDEC आणि SEMI अनुपालन सुनिश्चित करतात.

१५० मिमी व्यासापर्यंतचे बाउल पीव्हीटी आणि सीव्हीडी द्वारे वाढवले ​​जातात ज्यांची विस्थापन घनता १×१०³ सेमी⁻² पेक्षा कमी असते आणि मायक्रोपाइपची संख्या कमी असते. पुनरुत्पादक वाढ आणि उच्च कापणी उत्पादनाची हमी देण्यासाठी बियाणे क्रिस्टल्स सी-अक्षाच्या ०.१° च्या आत कापले जातात.

अनेक पॉलीटाइप्स, डोपिंग प्रकार, दर्जेदार ग्रेड, वेफर आकार आणि इन-हाऊस बाउल आणि सीड-क्रिस्टल उत्पादन एकत्रित करून, आमचे SiC सब्सट्रेट प्लॅटफॉर्म पुरवठा साखळी सुव्यवस्थित करते आणि इलेक्ट्रिक वाहने, स्मार्ट ग्रिड आणि कठोर-पर्यावरण अनुप्रयोगांसाठी डिव्हाइस विकासाला गती देते.