सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणे इनगॉट थिनिंगमध्ये क्रांती घडवतात

सेमीकंडक्टर लेझर लिफ्ट-ऑफ उपकरणे इनगॉट थिनिंगमध्ये क्रांती घडवतात वैशिष्ट्यीकृत प्रतिमा

संक्षिप्त वर्णन:

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ इक्विपमेंट हे लेसर-प्रेरित लिफ्ट-ऑफ तंत्रांद्वारे सेमीकंडक्टर इंगॉट्सचे अचूक आणि संपर्क नसलेले पातळीकरण करण्यासाठी डिझाइन केलेले एक अत्यंत विशेष औद्योगिक समाधान आहे. ही प्रगत प्रणाली आधुनिक सेमीकंडक्टर वेफरिंग प्रक्रियेत, विशेषतः उच्च-कार्यक्षमता पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, एलईडी आणि आरएफ उपकरणांसाठी अल्ट्रा-थिन वेफर्सच्या निर्मितीमध्ये महत्त्वाची भूमिका बजावते. बल्क इंगॉट्स किंवा डोनर सब्सट्रेट्सपासून पातळ थर वेगळे करण्यास सक्षम करून, सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ इक्विपमेंट यांत्रिक सॉइंग, ग्राइंडिंग आणि रासायनिक एचिंग चरणे काढून टाकून इंगॉट्स थिनिंगमध्ये क्रांती घडवते.

आम्हाला ईमेल पाठवा

वैशिष्ट्ये

तपशीलवार आकृती

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणांचा उत्पादन परिचय

गॅलियम नायट्राइड (GaN), सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) आणि नीलम यांसारख्या अर्धवाहक पिंडांचे पारंपारिक पातळीकरण हे बहुतेकदा श्रम-केंद्रित, व्यर्थ आणि सूक्ष्म क्रॅक किंवा पृष्ठभागाचे नुकसान होण्याची शक्यता असते. याउलट, अर्धवाहक लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरण एक विना-विध्वंसक, अचूक पर्याय प्रदान करते जे उत्पादकता वाढवताना सामग्रीचे नुकसान आणि पृष्ठभागाचा ताण कमी करते. हे विविध प्रकारच्या क्रिस्टलीय आणि कंपाऊंड सामग्रीचे समर्थन करते आणि फ्रंट-एंड किंवा मिडस्ट्रीम अर्धवाहक उत्पादन लाइनमध्ये अखंडपणे एकत्रित केले जाऊ शकते.

कॉन्फिगर करण्यायोग्य लेसर तरंगलांबी, अ‍ॅडॉप्टिव्ह फोकस सिस्टम आणि व्हॅक्यूम-सुसंगत वेफर चकसह, हे उपकरण विशेषतः इनगॉट स्लाइसिंग, लॅमेला निर्मिती आणि उभ्या उपकरण संरचना किंवा हेटेरोएपिटाक्सियल लेयर ट्रान्सफरसाठी अल्ट्रा-थिन फिल्म डिटेचमेंटसाठी योग्य आहे.

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणाचे पॅरामीटर

तरंगलांबी	आयआर/एसएचजी/टीएचजी/एफएचजी
पल्स रुंदी	नॅनोसेकंद, पिकोसेकंद, फेमटोसेकंद
ऑप्टिकल सिस्टम	स्थिर ऑप्टिकल सिस्टम किंवा गॅल्व्हानो-ऑप्टिकल सिस्टम
XY स्टेज	५०० मिमी × ५०० मिमी
प्रक्रिया श्रेणी	१६० मिमी
हालचालीचा वेग	कमाल १,००० मिमी/सेकंद
पुनरावृत्तीक्षमता	±१ μm किंवा त्यापेक्षा कमी
परिपूर्ण स्थिती अचूकता:	±५ μm किंवा त्यापेक्षा कमी
वेफर आकार	२-६ इंच किंवा कस्टमाइज्ड
नियंत्रण	विंडोज १०,११ आणि पीएलसी
वीज पुरवठा व्होल्टेज	एसी २०० व्ही ±२० व्ही, सिंगल-फेज, ५०/६० किलोहर्ट्झ
बाह्य परिमाणे	२४०० मिमी (प) × १७०० मिमी (ड) × २००० मिमी (ह)
वजन	१,००० किलो

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणाचे कार्य तत्व

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणाची मुख्य यंत्रणा डोनर इनगॉट आणि एपिटॅक्सियल किंवा लक्ष्य थर यांच्यातील इंटरफेसवर निवडक फोटोथर्मल विघटन किंवा पृथक्करणावर अवलंबून असते. उच्च-ऊर्जा यूव्ही लेसर (सामान्यत: २४८ एनएमवर केआरएफ किंवा ३५५ एनएमच्या आसपास सॉलिड-स्टेट यूव्ही लेसर) एका पारदर्शक किंवा अर्ध-पारदर्शक दाता सामग्रीद्वारे केंद्रित केले जाते, जिथे ऊर्जा पूर्वनिर्धारित खोलीवर निवडकपणे शोषली जाते.

या स्थानिकीकृत ऊर्जा शोषणामुळे इंटरफेसवर उच्च-दाब वायू फेज किंवा थर्मल एक्सपेंशन लेयर तयार होते, जे इनगॉट बेसपासून वरच्या वेफर किंवा डिव्हाइस लेयरचे स्वच्छ डिलेमिनेशन सुरू करते. पल्स रुंदी, लेसर फ्लुएन्स, स्कॅनिंग स्पीड आणि झेड-अक्ष फोकल डेप्थ यांसारखे पॅरामीटर्स समायोजित करून ही प्रक्रिया बारीक केली जाते. परिणामी एक अति-पातळ स्लाइस तयार होतो - बहुतेकदा 10 ते 50 µm रेंजमध्ये - यांत्रिक घर्षण न करता मूळ इनगॉटपासून स्वच्छपणे वेगळे केले जाते.

इनगॉट थिनिंगसाठी लेसर लिफ्ट-ऑफची ही पद्धत डायमंड वायर सॉइंग किंवा मेकॅनिकल लॅपिंगशी संबंधित कर्फ लॉस आणि पृष्ठभागाचे नुकसान टाळते. हे क्रिस्टल अखंडता देखील जपते आणि डाउनस्ट्रीम पॉलिशिंग आवश्यकता कमी करते, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरण पुढील पिढीच्या वेफर उत्पादनासाठी एक गेम-चेंजिंग टूल बनते.

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणे इनगॉट थिनिंग २ मध्ये क्रांती घडवतात

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणांचे अनुप्रयोग

सेमीकंडक्टर लेझर लिफ्ट-ऑफ उपकरणांना विविध प्रगत सामग्री आणि उपकरण प्रकारांमध्ये इनगॉट थिनिंगमध्ये विस्तृत उपयुक्तता आढळते, ज्यात समाविष्ट आहे:

पॉवर उपकरणांसाठी GaN आणि GaAs इनगॉट थिनिंग
उच्च-कार्यक्षमता, कमी-प्रतिरोधक पॉवर ट्रान्झिस्टर आणि डायोडसाठी पातळ वेफर निर्मिती सक्षम करते.

SiC सब्सट्रेट रिक्लेमेशन आणि लॅमेला पृथक्करण
उभ्या उपकरण संरचना आणि वेफर पुनर्वापरासाठी बल्क SiC सब्सट्रेट्समधून वेफर-स्केल लिफ्ट-ऑफला अनुमती देते.

एलईडी वेफर स्लाइसिंग
जाड नीलमणी रंगाच्या पिंडांपासून GaN थर उचलून अति-पातळ LED सब्सट्रेट्स तयार करण्यास मदत करते.

आरएफ आणि मायक्रोवेव्ह उपकरण निर्मिती
5G आणि रडार सिस्टीममध्ये आवश्यक असलेल्या अल्ट्रा-थिन हाय-इलेक्ट्रॉन-मोबिलिटी ट्रान्झिस्टर (HEMT) स्ट्रक्चर्सना समर्थन देते.

एपिटॅक्सियल लेयर ट्रान्सफर
हेटेरोस्ट्रक्चर्समध्ये पुनर्वापर किंवा एकत्रीकरणासाठी क्रिस्टलीय इनगॉट्सपासून एपिटॅक्सियल थर अचूकपणे वेगळे करते.

पातळ-फिल्म सौर पेशी आणि फोटोव्होल्टेइक
लवचिक किंवा उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या सौर पेशींसाठी पातळ शोषक थर वेगळे करण्यासाठी वापरले जाते.

या प्रत्येक क्षेत्रात, सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणे जाडी एकरूपता, पृष्ठभागाची गुणवत्ता आणि थर अखंडतेवर अतुलनीय नियंत्रण प्रदान करतात.

लेसर-आधारित इंगॉट पातळ करण्याचे फायदे

शून्य-केर्फ मटेरियल लॉस
पारंपारिक वेफर स्लाइसिंग पद्धतींच्या तुलनेत, लेसर प्रक्रियेमुळे जवळजवळ १००% मटेरियलचा वापर होतो.

कमीत कमी ताण आणि वार्पिंग
संपर्क नसलेला लिफ्ट-ऑफ यांत्रिक कंपन दूर करतो, वेफर बो आणि मायक्रोक्रॅक निर्मिती कमी करतो.

पृष्ठभागाची गुणवत्ता जतन करणे
लेसर लिफ्ट-ऑफ वरच्या पृष्ठभागाची अखंडता जपते म्हणून, बऱ्याच प्रकरणांमध्ये पातळ केल्यानंतर लॅपिंग किंवा पॉलिशिंगची आवश्यकता नसते.

उच्च थ्रूपुट आणि ऑटोमेशन तयार
स्वयंचलित लोडिंग/अनलोडिंगसह प्रति शिफ्ट शेकडो सब्सट्रेट्सवर प्रक्रिया करण्यास सक्षम.

अनेक साहित्यांशी जुळवून घेण्यायोग्य
GaN, SiC, नीलमणी, GaAs आणि उदयोन्मुख III-V मटेरियलशी सुसंगत.

पर्यावरणीयदृष्ट्या सुरक्षित
स्लरी-आधारित पातळ करण्याच्या प्रक्रियेत सामान्यतः वापरल्या जाणाऱ्या अ‍ॅब्रेसिव्ह आणि कठोर रसायनांचा वापर कमी करते.

सब्सट्रेट पुनर्वापर
दात्याच्या पिंडांचे अनेक लिफ्ट-ऑफ सायकलसाठी पुनर्वापर केले जाऊ शकते, ज्यामुळे साहित्याचा खर्च मोठ्या प्रमाणात कमी होतो.

सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरणांबद्दल वारंवार विचारले जाणारे प्रश्न (FAQ)

प्रश्न १: वेफर स्लाइससाठी सेमीकंडक्टर लेसर लिफ्ट-ऑफ उपकरण किती जाडीची श्रेणी साध्य करू शकते?
अ१:सामान्य स्लाइस जाडी सामग्री आणि कॉन्फिगरेशनवर अवलंबून 10 µm ते 100 µm पर्यंत असते.

प्रश्न २: SiC सारख्या अपारदर्शक पदार्थांपासून बनवलेल्या पिंडांना पातळ करण्यासाठी हे उपकरण वापरले जाऊ शकते का?
ए२:हो. लेसर तरंगलांबी समायोजित करून आणि इंटरफेस अभियांत्रिकी (उदा. बलिदान इंटरलेयर्स) ऑप्टिमाइझ करून, अंशतः अपारदर्शक पदार्थांवर देखील प्रक्रिया केली जाऊ शकते.

प्रश्न ३: लेसर लिफ्ट-ऑफ करण्यापूर्वी डोनर सब्सट्रेट कसे संरेखित केले जाते?
ए३:ही प्रणाली सब-मायक्रॉन व्हिजन-आधारित अलाइनमेंट मॉड्यूल वापरते ज्यामध्ये फिड्यूशियल मार्क्स आणि पृष्ठभाग परावर्तकता स्कॅनमधून अभिप्राय मिळतो.

प्रश्न ४: एका लेसर लिफ्ट-ऑफ ऑपरेशनसाठी अपेक्षित सायकल वेळ किती आहे?
ए४:वेफरच्या आकार आणि जाडीनुसार, सामान्य चक्र २ ते १० मिनिटे टिकते.

प्रश्न ५: प्रक्रियेसाठी स्वच्छ खोलीचे वातावरण आवश्यक आहे का?
ए५:जरी अनिवार्य नसले तरी, उच्च-परिशुद्धता ऑपरेशन्स दरम्यान सब्सट्रेट स्वच्छता आणि डिव्हाइस उत्पन्न राखण्यासाठी क्लीनरूम इंटिग्रेशनची शिफारस केली जाते.

आमच्याबद्दल

XKH विशेष ऑप्टिकल ग्लास आणि नवीन क्रिस्टल मटेरियलच्या उच्च-तंत्रज्ञान विकास, उत्पादन आणि विक्रीमध्ये विशेषज्ञ आहे. आमची उत्पादने ऑप्टिकल इलेक्ट्रॉनिक्स, ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स आणि सैन्यासाठी सेवा देतात. आम्ही नीलमणी ऑप्टिकल घटक, मोबाइल फोन लेन्स कव्हर, सिरॅमिक्स, LT, सिलिकॉन कार्बाइड SIC, क्वार्ट्ज आणि सेमीकंडक्टर क्रिस्टल वेफर्स ऑफर करतो. कुशल कौशल्य आणि अत्याधुनिक उपकरणांसह, आम्ही मानक नसलेल्या उत्पादन प्रक्रियेत उत्कृष्ट कामगिरी करतो, एक आघाडीचा ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक मटेरियल हाय-टेक एंटरप्राइझ बनण्याचे उद्दिष्ट ठेवतो.