SiC सिरेमिक फोर्क आर्म / एंड इफेक्टर - सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगसाठी प्रगत अचूक हाताळणी

ची निर्मितीSiC सिरेमिक एंड इफेक्टर्सयामध्ये उच्च-परिशुद्धता, उच्च-शुद्धता प्रक्रियांची मालिका समाविष्ट आहे जी कार्यक्षमता आणि टिकाऊपणा दोन्ही सुनिश्चित करते. दोन मुख्य प्रक्रिया सामान्यतः वापरल्या जातात:

रिअॅक्शन-बॉन्डेड सिलिकॉन कार्बाइड (RB-SiC)

या प्रक्रियेत, सिलिकॉन कार्बाइड पावडर आणि बाईंडरपासून बनवलेल्या प्रीफॉर्ममध्ये उच्च तापमानात (~१५००°C) वितळलेले सिलिकॉन मिसळले जाते, जे अवशिष्ट कार्बनशी प्रतिक्रिया देऊन दाट, कडक SiC-Si संमिश्र तयार करते. ही पद्धत उत्कृष्ट मितीय नियंत्रण देते आणि मोठ्या प्रमाणात उत्पादनासाठी किफायतशीर आहे.

प्रेशरलेस सिंटरड सिलिकॉन कार्बाइड (SSiC)

एसएसआयसी हे अति-सूक्ष्म, उच्च-शुद्धतेच्या एसआयसी पावडरला अत्यंत उच्च तापमानात (> २०००° सेल्सिअस) सिंटर करून बनवले जाते, ज्यामध्ये अ‍ॅडिटीव्ह किंवा बाइंडिंग फेजचा वापर केला जात नाही. यामुळे जवळजवळ १००% घनता आणि एसआयसी मटेरियलमध्ये उपलब्ध असलेले सर्वोच्च यांत्रिक आणि थर्मल गुणधर्म असलेले उत्पादन मिळते. हे अल्ट्रा-क्रिटिकल वेफर हँडलिंग अॅप्लिकेशन्ससाठी आदर्श आहे.

प्रक्रिया केल्यानंतर

• प्रेसिजन सीएनसी मशीनिंग: उच्च सपाटपणा आणि समांतरता प्राप्त करते.

• पृष्ठभाग पूर्ण करणे: डायमंड पॉलिशिंगमुळे पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा <0.02 µm पर्यंत कमी होतो.

• तपासणी: प्रत्येक तुकड्याची पडताळणी करण्यासाठी ऑप्टिकल इंटरफेरोमेट्री, सीएमएम आणि नॉन-डिस्ट्रक्टिव्ह चाचणी वापरली जाते.

हे चरण हमी देतात कीSiC एंड इफेक्टरसातत्यपूर्ण वेफर प्लेसमेंट अचूकता, उत्कृष्ट प्लॅनॅरिटी आणि किमान कण निर्मिती प्रदान करते.