ICP साठी ४ इंच ६ इंच वेफर होल्डरसाठी SiC सिरेमिक प्लेट/ट्रे

संक्षिप्त वर्णन:

SiC सिरेमिक प्लेट हा उच्च-शुद्धता असलेल्या सिलिकॉन कार्बाइडपासून बनवलेला उच्च-कार्यक्षमता घटक आहे, जो अत्यंत थर्मल, रासायनिक आणि यांत्रिक वातावरणात वापरण्यासाठी डिझाइन केलेला आहे. अपवादात्मक कडकपणा, थर्मल चालकता आणि गंज प्रतिकार यासाठी प्रसिद्ध, SiC प्लेट अर्धसंवाहक, LED, फोटोव्होल्टेइक आणि एरोस्पेस उद्योगांमध्ये वेफर कॅरियर, ससेप्टर किंवा स्ट्रक्चरल घटक म्हणून मोठ्या प्रमाणावर वापरली जाते.


  • :
  • वैशिष्ट्ये

    SiC सिरेमिक प्लेट सारांश

    SiC सिरेमिक प्लेट हा उच्च-शुद्धता असलेल्या सिलिकॉन कार्बाइडपासून बनवलेला उच्च-कार्यक्षमता घटक आहे, जो अत्यंत थर्मल, रासायनिक आणि यांत्रिक वातावरणात वापरण्यासाठी डिझाइन केलेला आहे. अपवादात्मक कडकपणा, थर्मल चालकता आणि गंज प्रतिकार यासाठी प्रसिद्ध, SiC प्लेट अर्धसंवाहक, LED, फोटोव्होल्टेइक आणि एरोस्पेस उद्योगांमध्ये वेफर कॅरियर, ससेप्टर किंवा स्ट्रक्चरल घटक म्हणून मोठ्या प्रमाणावर वापरली जाते.

     

    १६००°C पर्यंत उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता आणि प्रतिक्रियाशील वायू आणि प्लाझ्मा वातावरणास उत्कृष्ट प्रतिकार असलेले, SiC प्लेट उच्च-तापमान एचिंग, डिपॉझिशन आणि डिफ्यूजन प्रक्रियेदरम्यान सातत्यपूर्ण कामगिरी सुनिश्चित करते. त्याची दाट, नॉन-पोरस मायक्रोस्ट्रक्चर कण निर्मिती कमी करते, ज्यामुळे ते व्हॅक्यूम किंवा क्लीनरूम सेटिंग्जमध्ये अल्ट्रा-क्लीन अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनते.

    SiC सिरेमिक प्लेट अनुप्रयोग

    १. सेमीकंडक्टर उत्पादन

    सीव्हीडी (केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन), पीव्हीडी (फिजिकल व्हेपर डिपॉझिशन) आणि एचिंग सिस्टम सारख्या सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशन उपकरणांमध्ये सीआयसी सिरेमिक प्लेट्स सामान्यतः वेफर कॅरियर्स, ससेप्टर्स आणि पेडेस्टल प्लेट्स म्हणून वापरल्या जातात. त्यांची उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि कमी थर्मल विस्तार त्यांना एकसमान तापमान वितरण राखण्यास अनुमती देते, जे उच्च-परिशुद्धता वेफर प्रक्रियेसाठी महत्त्वपूर्ण आहे. एसआयसीचा संक्षारक वायू आणि प्लाझ्माचा प्रतिकार कठोर वातावरणात टिकाऊपणा सुनिश्चित करतो, कण दूषितता आणि उपकरणांची देखभाल कमी करण्यास मदत करतो.

    २. एलईडी उद्योग - आयसीपी एचिंग

    एलईडी उत्पादन क्षेत्रात, आयसीपी (इंडक्टिव्हली कपल्ड प्लाझ्मा) एचिंग सिस्टममध्ये एसआयसी प्लेट्स हे प्रमुख घटक आहेत. वेफर होल्डर म्हणून काम करून, ते प्लाझ्मा प्रक्रियेदरम्यान नीलम किंवा गॅन वेफर्सना आधार देण्यासाठी एक स्थिर आणि थर्मली मजबूत प्लॅटफॉर्म प्रदान करतात. त्यांचा उत्कृष्ट प्लाझ्मा प्रतिकार, पृष्ठभाग सपाटपणा आणि मितीय स्थिरता उच्च एचिंग अचूकता आणि एकरूपता सुनिश्चित करण्यास मदत करते, ज्यामुळे एलईडी चिप्समध्ये उत्पादन आणि डिव्हाइस कार्यक्षमता वाढते.

    ३. फोटोव्होल्टेक्स (पीव्ही) आणि सौर ऊर्जा

    SiC सिरेमिक प्लेट्सचा वापर सौर पेशी उत्पादनात देखील केला जातो, विशेषतः उच्च-तापमानाच्या सिंटरिंग आणि अॅनिलिंग चरणांमध्ये. उच्च तापमानात त्यांची जडत्व आणि वॉर्पिंगला प्रतिकार करण्याची क्षमता सिलिकॉन वेफर्सची सातत्यपूर्ण प्रक्रिया सुनिश्चित करते. याव्यतिरिक्त, फोटोव्होल्टेइक पेशींची कार्यक्षमता राखण्यासाठी त्यांचा कमी दूषित होण्याचा धोका महत्वाचा आहे.

    SiC सिरेमिक प्लेटचे गुणधर्म

    १. अपवादात्मक यांत्रिक ताकद आणि कडकपणा

    SiC सिरेमिक प्लेट्समध्ये खूप उच्च यांत्रिक शक्ती असते, ज्याची सामान्य लवचिक शक्ती 400 MPa पेक्षा जास्त असते आणि विकर्सची कडकपणा 2000 HV पेक्षा जास्त असते. यामुळे ते यांत्रिक पोशाख, घर्षण आणि विकृतीला अत्यंत प्रतिरोधक बनतात, ज्यामुळे जास्त भार किंवा वारंवार थर्मल सायकलिंग असतानाही दीर्घ सेवा आयुष्य सुनिश्चित होते.

    २. उच्च औष्णिक चालकता

    SiC मध्ये उत्कृष्ट थर्मल चालकता असते (सामान्यत: १२०-२०० W/m·K), ज्यामुळे ते त्याच्या पृष्ठभागावर समान रीतीने उष्णता वितरित करू शकते. वेफर एचिंग, डिपॉझिशन किंवा सिंटरिंग सारख्या प्रक्रियांमध्ये हा गुणधर्म महत्त्वाचा असतो, जिथे तापमान एकरूपता थेट उत्पादनाच्या उत्पन्नावर आणि गुणवत्तेवर परिणाम करते.

    ३. उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता

    उच्च वितळण्याचा बिंदू (२७००°C) आणि कमी थर्मल एक्सपेंशन गुणांक (४.० × १०⁻⁶/K) सह, SiC सिरेमिक प्लेट्स जलद गरम आणि थंड चक्रांमध्ये मितीय अचूकता आणि संरचनात्मक अखंडता राखतात. यामुळे ते उच्च-तापमानाच्या भट्टी, व्हॅक्यूम चेंबर्स आणि प्लाझ्मा वातावरणात वापरण्यासाठी आदर्श बनतात.

    तांत्रिक गुणधर्म

    निर्देशांक

    युनिट

    मूल्य

    साहित्याचे नाव

    रिअॅक्शन सिंटर्ड सिलिकॉन कार्बाइड

    प्रेशरलेस सिंटरड सिलिकॉन कार्बाइड

    पुनर्स्फटिकीकृत सिलिकॉन कार्बाइड

    रचना

    आरबीएसआयसी

    एसएसआयसी

    आर-एसआयसी

    मोठ्या प्रमाणात घनता

    ग्रॅम/सेमी३

    3

    ३.१५ ± ०.०३

    २.६०-२.७०

    लवचिक ताकद

    एमपीए (केपीएसआय)

    ३३८(४९)

    ३८०(५५)

    ८०-९० (२०°से) ९०-१००(१४००°से)

    संकुचित शक्ती

    एमपीए (केपीएसआय)

    ११२०(१५८)

    ३९७०(५६०)

    > ६००

    कडकपणा

    नूप

    २७००

    २८००

    /

    दृढनिश्चय तोडणे

    एमपीए मीटर १/२

    ४.५

    4

    /

    औष्णिक चालकता

    वाय/एमके

    95

    १२०

    23

    औष्णिक विस्ताराचे गुणांक

    10-6०.१/°से.

    5

    4

    ४.७

    विशिष्ट उष्णता

    जूल/ग्रॅम ० किलो

    ०.८

    ०.६७

    /

    हवेतील कमाल तापमान

    १२००

    १५००

    १६००

    लवचिक मापांक

    जीपीए

    ३६०

    ४१०

    २४०

     

    SiC सिरेमिक प्लेट प्रश्नोत्तरे

    प्रश्न: सिलिकॉन कार्बाइड प्लेटचे गुणधर्म काय आहेत?

    अ: सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) प्लेट्स त्यांच्या उच्च शक्ती, कडकपणा आणि थर्मल स्थिरतेसाठी ओळखल्या जातात. ते उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि कमी थर्मल विस्तार देतात, ज्यामुळे अति तापमानात विश्वसनीय कामगिरी सुनिश्चित होते. SiC रासायनिकदृष्ट्या निष्क्रिय देखील आहे, आम्ल, अल्कली आणि प्लाझ्मा वातावरणास प्रतिरोधक आहे, ज्यामुळे ते अर्धवाहक आणि LED प्रक्रियेसाठी आदर्श बनते. त्याची दाट, गुळगुळीत पृष्ठभाग कण निर्मिती कमी करते, स्वच्छ खोलीची सुसंगतता राखते. SiC प्लेट्स अर्धवाहक, फोटोव्होल्टेइक आणि एरोस्पेस उद्योगांमध्ये उच्च-तापमान आणि संक्षारक वातावरणात वेफर वाहक, संवेदी आणि समर्थन घटक म्हणून मोठ्या प्रमाणावर वापरल्या जातात.

    SiC ट्रेअर०६
    SiC ट्रेअर०५
    SiC ट्रेअर०१

  • मागील:
  • पुढे:

  • तुमचा संदेश येथे लिहा आणि आम्हाला पाठवा.