MOS किंवा SBD साठी 4H-N HPSI SiC वेफर 6H-N 6H-P 3C-N SiC एपिटॅक्सियल वेफर
SiC सब्सट्रेट SiC एपि-वेफर ब्रीफ
आम्ही उच्च-गुणवत्तेच्या SiC सब्सट्रेट्स आणि sic वेफर्सचा संपूर्ण पोर्टफोलिओ ऑफर करतो ज्यामध्ये अनेक पॉलीटाइप्स आणि डोपिंग प्रोफाइल आहेत - ज्यामध्ये 4H-N (n-प्रकार कंडक्टिव्ह), 4H-P (p-प्रकार कंडक्टिव्ह), 4H-HPSI (उच्च-शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग) आणि 6H-P (p-प्रकार कंडक्टिव्ह) यांचा समावेश आहे - 4″, 6″ आणि 8″ ते 12″ पर्यंत व्यास आहेत. बेअर सब्सट्रेट्सच्या पलीकडे, आमच्या मूल्यवर्धित एपि-वेफर ग्रोथ सेवा कडक नियंत्रित जाडी (1-20 µm), डोपिंग सांद्रता आणि दोष घनतेसह एपिटॅक्सियल (epi) वेफर्स प्रदान करतात.
प्रत्येक sic वेफर आणि epi वेफरची कठोर इन-लाइन तपासणी (मायक्रोपाइप घनता <0.1 cm⁻², पृष्ठभागाची खडबडीतपणा Ra <0.2 nm) आणि संपूर्ण विद्युत वैशिष्ट्यीकरण (CV, प्रतिरोधकता मॅपिंग) केली जाते जेणेकरून अपवादात्मक क्रिस्टल एकरूपता आणि कार्यक्षमता सुनिश्चित होईल. पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स मॉड्यूल्स, उच्च-फ्रिक्वेन्सी RF अॅम्प्लिफायर्स किंवा ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक डिव्हाइसेस (LEDs, फोटोडिटेक्टर) साठी वापरलेले असो, आमचे SiC सब्सट्रेट आणि epi वेफर उत्पादन लाइन आजच्या सर्वात मागणी असलेल्या अनुप्रयोगांसाठी आवश्यक असलेली विश्वासार्हता, थर्मल स्थिरता आणि ब्रेकडाउन स्ट्रेंथ प्रदान करतात.
SiC सब्सट्रेट 4H-N प्रकाराचे गुणधर्म आणि अनुप्रयोग
-
4H-N SiC सब्सट्रेट पॉलीटाइप (षटकोनी) रचना
~३.२६ eV चा विस्तृत बँडगॅप उच्च-तापमान आणि उच्च-विद्युत-क्षेत्र परिस्थितीत स्थिर विद्युत कार्यक्षमता आणि थर्मल मजबूती सुनिश्चित करतो.
-
SiC सब्सट्रेटएन-टाइप डोपिंग
अचूकपणे नियंत्रित नायट्रोजन डोपिंगमुळे वाहक सांद्रता १×१०¹⁶ ते १×१०¹⁹ सेमी⁻³ आणि खोली-तापमान इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ~९०० सेमी²/V·s पर्यंत मिळते, ज्यामुळे वहन नुकसान कमी होते.
-
SiC सब्सट्रेटविस्तृत प्रतिरोधकता आणि एकरूपता
उपलब्ध प्रतिरोधकता श्रेणी ०.०१–१० Ω·सेमी आणि वेफर जाडी ३५०–६५० µm आहे, डोपिंग आणि जाडी दोन्हीमध्ये ±५% सहनशीलता आहे - उच्च-शक्तीच्या उपकरणांच्या निर्मितीसाठी आदर्श.
-
SiC सब्सट्रेटअत्यंत कमी दोष घनता
मायक्रोपाइप घनता < ०.१ सेमी⁻² आणि बेसल-प्लेन डिस्लोकेशन घनता < ५०० सेमी⁻², ज्यामुळे ९९% पेक्षा जास्त डिव्हाइस उत्पत्ती आणि उत्कृष्ट क्रिस्टल अखंडता मिळते.
- SiC सब्सट्रेटअपवादात्मक थर्मल चालकता
~३७० W/m·K पर्यंतची थर्मल चालकता कार्यक्षमतेने उष्णता काढून टाकण्यास मदत करते, ज्यामुळे उपकरणाची विश्वासार्हता आणि पॉवर घनता वाढते.
-
SiC सब्सट्रेटलक्ष्य अनुप्रयोग
इलेक्ट्रिक-व्हेइकल ड्राइव्ह, सोलर इन्व्हर्टर, इंडस्ट्रियल ड्राइव्ह, ट्रॅक्शन सिस्टम आणि इतर मागणी असलेल्या पॉवर-इलेक्ट्रॉनिक्स मार्केटसाठी SiC MOSFETs, Schottky डायोड्स, पॉवर मॉड्यूल्स आणि RF उपकरणे.
६ इंच ४H-N प्रकारच्या SiC वेफरचे तपशील | ||
| मालमत्ता | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| ग्रेड | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| व्यास | १४९.५ मिमी - १५०.० मिमी | १४९.५ मिमी - १५०.० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी | ३५० मायक्रॉन ± १५ मायक्रॉन | ३५० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन |
| वेफर ओरिएंटेशन | अक्षाबाहेर: ४.०° <११२०> ± ०.५° च्या दिशेने | अक्षाबाहेर: ४.०° <११२०> ± ०.५° च्या दिशेने |
| मायक्रोपाइप घनता | ≤ ०.२ सेमी² | ≤ १५ सेमी² |
| प्रतिरोधकता | ०.०१५ - ०.०२४ Ω·सेमी | ०.०१५ - ०.०२८ Ω·सेमी |
| प्राथमिक सपाट दिशानिर्देश | [१०-१०] ± ५०° | [१०-१०] ± ५०° |
| प्राथमिक फ्लॅट लांबी | ४७५ मिमी ± २.० मिमी | ४७५ मिमी ± २.० मिमी |
| एज एक्सक्लुजन | ३ मिमी | ३ मिमी |
| एलटीव्ही/टीआयव्ही / धनुष्य / वॉर्प | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| खडबडीतपणा | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर |
| सीएमपी रा | ≤ ०.२ एनएम | ≤ ०.५ एनएम |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे कडा भेगा पडतात | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाद्वारे हेक्स प्लेट्स | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.१% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार पॉलीटाइप क्षेत्रे | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ३% |
| व्हिज्युअल कार्बन समावेश | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ५% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागावर ओरखडे येणे | संचयी लांबी ≤ १ वेफर व्यास | |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने एज चिप्स | ≥ ०.२ मिमी रुंदी आणि खोलीला परवानगी नाही | ७ परवानगी आहे, प्रत्येकी ≤ १ मिमी |
| थ्रेडिंग स्क्रू डिसलोकेशन | < ५०० सेमी³ | < ५०० सेमी³ |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागाचे दूषितीकरण | ||
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
८ इंच ४H-N प्रकारच्या SiC वेफरचे तपशील | ||
| मालमत्ता | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| ग्रेड | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| व्यास | १९९.५ मिमी - २००.० मिमी | १९९.५ मिमी - २००.० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी | ५०० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन | ५०० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन |
| वेफर ओरिएंटेशन | ४.०° <११०> ± ०.५° च्या दिशेने | ४.०° <११०> ± ०.५° च्या दिशेने |
| मायक्रोपाइप घनता | ≤ ०.२ सेमी² | ≤ ५ सेमी² |
| प्रतिरोधकता | ०.०१५ - ०.०२५ Ω·सेमी | ०.०१५ - ०.०२८ Ω·सेमी |
| नोबल ओरिएंटेशन | ||
| एज एक्सक्लुजन | ३ मिमी | ३ मिमी |
| एलटीव्ही/टीआयव्ही / धनुष्य / वॉर्प | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| खडबडीतपणा | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर |
| सीएमपी रा | ≤ ०.२ एनएम | ≤ ०.५ एनएम |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे कडा भेगा पडतात | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाद्वारे हेक्स प्लेट्स | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.१% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार पॉलीटाइप क्षेत्रे | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ३% |
| व्हिज्युअल कार्बन समावेश | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ५% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागावर ओरखडे येणे | संचयी लांबी ≤ १ वेफर व्यास | |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने एज चिप्स | ≥ ०.२ मिमी रुंदी आणि खोलीला परवानगी नाही | ७ परवानगी आहे, प्रत्येकी ≤ १ मिमी |
| थ्रेडिंग स्क्रू डिसलोकेशन | < ५०० सेमी³ | < ५०० सेमी³ |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागाचे दूषितीकरण | ||
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
4H-SiC ही एक उच्च-कार्यक्षमता असलेली सामग्री आहे जी पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, RF उपकरणे आणि उच्च-तापमान अनुप्रयोगांसाठी वापरली जाते. "4H" हा क्रिस्टल स्ट्रक्चरचा संदर्भ देतो, जो षटकोनी आहे आणि "N" हा डोपिंग प्रकार दर्शवितो जो मटेरियलची कार्यक्षमता ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी वापरला जातो.
द४H-SiCप्रकार सामान्यतः यासाठी वापरला जातो:
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स:इलेक्ट्रिक वाहन पॉवरट्रेन, औद्योगिक यंत्रसामग्री आणि अक्षय ऊर्जा प्रणालींसाठी डायोड, MOSFET आणि IGBT सारख्या उपकरणांमध्ये वापरले जाते.
५जी तंत्रज्ञान:5G ची उच्च-फ्रिक्वेन्सी आणि उच्च-कार्यक्षमता घटकांची मागणी असल्याने, उच्च व्होल्टेज हाताळण्याची आणि उच्च तापमानात ऑपरेट करण्याची SiC ची क्षमता बेस स्टेशन पॉवर अॅम्प्लिफायर्स आणि RF उपकरणांसाठी आदर्श बनवते.
सौर ऊर्जा प्रणाली:SiC चे उत्कृष्ट पॉवर हँडलिंग गुणधर्म फोटोव्होल्टेइक (सौर ऊर्जा) इन्व्हर्टर आणि कन्व्हर्टरसाठी आदर्श आहेत.
इलेक्ट्रिक वाहने (EVs):अधिक कार्यक्षम ऊर्जा रूपांतरण, कमी उष्णता निर्मिती आणि उच्च वीज घनतेसाठी EV पॉवरट्रेनमध्ये SiC चा मोठ्या प्रमाणावर वापर केला जातो.
SiC सब्सट्रेट 4H सेमी-इन्सुलेटिंग प्रकाराचे गुणधर्म आणि अनुप्रयोग
गुणधर्म:
-
मायक्रोपाइप-मुक्त घनता नियंत्रण तंत्रे: मायक्रोपाइप्सची अनुपस्थिती सुनिश्चित करते, ज्यामुळे सब्सट्रेटची गुणवत्ता सुधारते.
-
मोनोक्रिस्टलाइन नियंत्रण तंत्रे: वाढलेल्या पदार्थाच्या गुणधर्मांसाठी एकल क्रिस्टल रचनेची हमी देते.
-
समावेश नियंत्रण तंत्रे: शुद्ध सब्सट्रेट सुनिश्चित करून, अशुद्धता किंवा समावेशांची उपस्थिती कमी करते.
-
प्रतिरोधकता नियंत्रण तंत्रे: विद्युत प्रतिरोधकतेचे अचूक नियंत्रण करण्यास अनुमती देते, जे उपकरणाच्या कामगिरीसाठी महत्त्वाचे आहे.
-
अशुद्धता नियमन आणि नियंत्रण तंत्रे: सब्सट्रेटची अखंडता राखण्यासाठी अशुद्धतेचा प्रवेश नियंत्रित करते आणि मर्यादित करते.
-
सब्सट्रेट स्टेप रुंदी नियंत्रण तंत्रे: पायरीच्या रुंदीवर अचूक नियंत्रण प्रदान करते, सब्सट्रेटमध्ये सुसंगतता सुनिश्चित करते.
६ इंच ४H-सेमी SiC सब्सट्रेट स्पेसिफिकेशन | ||
| मालमत्ता | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| व्यास (मिमी) | १४५ मिमी - १५० मिमी | १४५ मिमी - १५० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी (अंश) | ५०० ± १५ | ५०० ± २५ |
| वेफर ओरिएंटेशन | अक्षावर: ±०.०००१° | अक्षावर: ±०.०५° |
| मायक्रोपाइप घनता | ≤ १५ सेमी-२ | ≤ १५ सेमी-२ |
| प्रतिरोधकता (Ωसेमी) | ≥ १०E३ | ≥ १०E३ |
| प्राथमिक सपाट दिशानिर्देश | (०-१०)° ± ५.०° | (१०-१०)° ± ५.०° |
| प्राथमिक फ्लॅट लांबी | खाच | खाच |
| कडा वगळणे (मिमी) | ≤ २.५ मायक्रॉन / ≤ १५ मायक्रॉन | ≤ ५.५ मायक्रॉन / ≤ ३५ मायक्रॉन |
| एलटीव्ही / बाउल / वॉर्प | ≤ ३ मायक्रॉन | ≤ ३ मायक्रॉन |
| खडबडीतपणा | पोलिश रा ≤ १.५ मायक्रॉन | पोलिश रा ≤ १.५ मायक्रॉन |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने एज चिप्स | ≤ २० मायक्रॉन | ≤ ६० मायक्रॉन |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने प्लेट्स गरम करा | संचयी ≤ ०.०५% | संचयी ≤ ३% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार पॉलीटाइप क्षेत्रे | व्हिज्युअल कार्बन समावेश ≤ ०.०५% | संचयी ≤ ३% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागावर ओरखडे येणे | ≤ ०.०५% | संचयी ≤ ४% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार एज चिप्स (आकार) | परवानगी नाही > ०२ मिमी रुंदी आणि खोली | परवानगी नाही > ०२ मिमी रुंदी आणि खोली |
| सहाय्यक स्क्रू डायलेशन | ≤ ५०० मायक्रॉन | ≤ ५०० मायक्रॉन |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागाचे दूषितीकरण | ≤ १ x १०^५ | ≤ १ x १०^५ |
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
४-इंच ४H-सेमी इन्सुलेटिंग SiC सब्सट्रेट स्पेसिफिकेशन
| पॅरामीटर | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
|---|---|---|
| भौतिक गुणधर्म | ||
| व्यास | ९९.५ मिमी - १००.० मिमी | ९९.५ मिमी - १००.० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी | ५०० मायक्रॉन ± १५ मायक्रॉन | ५०० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन |
| वेफर ओरिएंटेशन | अक्षावर: <600h > 0.5° | अक्षावर: <000h > 0.5° |
| विद्युत गुणधर्म | ||
| मायक्रोपाइप घनता (MPD) | ≤१ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
| प्रतिरोधकता | ≥१५० Ω·सेमी | ≥१.५ Ω·सेमी |
| भौमितिक सहनशीलता | ||
| प्राथमिक सपाट दिशानिर्देश | (०x१०) ± ५.०° | (०x१०) ± ५.०° |
| प्राथमिक फ्लॅट लांबी | ५२.५ मिमी ± २.० मिमी | ५२.५ मिमी ± २.० मिमी |
| दुय्यम फ्लॅट लांबी | १८.० मिमी ± २.० मिमी | १८.० मिमी ± २.० मिमी |
| दुय्यम फ्लॅट ओरिएंटेशन | प्राइम फ्लॅट पासून ९०° CW ± ५.०° (Si समोर) | प्राइम फ्लॅट पासून ९०° CW ± ५.०° (Si समोर) |
| एज एक्सक्लुजन | ३ मिमी | ३ मिमी |
| एलटीव्ही / टीटीव्ही / बो / वार्प | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| पृष्ठभागाची गुणवत्ता | ||
| पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा (पोलिश रा) | ≤१ एनएम | ≤१ एनएम |
| पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा (CMP Ra) | ≤०.२ एनएम | ≤०.२ एनएम |
| कडा भेगा (उच्च-तीव्रतेचा प्रकाश) | परवानगी नाही | संचयी लांबी ≥१० मिमी, एकच क्रॅक ≤२ मिमी |
| षटकोनी प्लेट दोष | ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफळ | ≤0.1% संचयी क्षेत्रफळ |
| पॉलीटाइप समावेश क्षेत्रे | परवानगी नाही | ≤१% संचयी क्षेत्रफळ |
| व्हिज्युअल कार्बन समावेश | ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफळ | ≤१% संचयी क्षेत्रफळ |
| सिलिकॉन पृष्ठभागावरील ओरखडे | परवानगी नाही | ≤1 वेफर व्यास संचयी लांबी |
| एज चिप्स | काहीही परवानगी नाही (≥०.२ मिमी रुंदी/खोली) | ≤५ चिप्स (प्रत्येक ≤१ मिमी) |
| सिलिकॉन पृष्ठभाग दूषित होणे | निर्दिष्ट नाही | निर्दिष्ट नाही |
| पॅकेजिंग | ||
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल-वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा |
अर्ज:
दSiC 4H अर्ध-इन्सुलेटिंग सब्सट्रेट्सप्रामुख्याने उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेन्सी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये वापरले जातात, विशेषतःआरएफ फील्ड. हे सब्सट्रेट्स विविध अनुप्रयोगांसाठी महत्त्वाचे आहेत ज्यात समाविष्ट आहेमायक्रोवेव्ह कम्युनिकेशन सिस्टम्स, टप्प्याटप्प्याने अ‍ॅरे रडार, आणिवायरलेस इलेक्ट्रिकल डिटेक्टरत्यांची उच्च औष्णिक चालकता आणि उत्कृष्ट विद्युत वैशिष्ट्ये त्यांना पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि कम्युनिकेशन सिस्टममध्ये कठीण अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनवतात.
SiC epi wafer 4H-N प्रकाराचे गुणधर्म आणि अनुप्रयोग
SiC 4H-N प्रकार Epi वेफर गुणधर्म आणि अनुप्रयोग
SiC 4H-N प्रकारातील एपी वेफरचे गुणधर्म:
साहित्य रचना:
SiC (सिलिकॉन कार्बाइड): उत्कृष्ट कडकपणा, उच्च औष्णिक चालकता आणि उत्कृष्ट विद्युत गुणधर्मांसाठी ओळखले जाणारे, SiC उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी आदर्श आहे.
4H-SiC पॉलीटाइप: 4H-SiC पॉलीटाइप इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगांमध्ये त्याच्या उच्च कार्यक्षमता आणि स्थिरतेसाठी ओळखला जातो.
एन-टाइप डोपिंग: एन-टाइप डोपिंग (नायट्रोजनसह डोप केलेले) उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉन गतिशीलता प्रदान करते, ज्यामुळे SiC उच्च-फ्रिक्वेन्सी आणि उच्च-शक्ती अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनते.
उच्च औष्णिक चालकता:
SiC वेफर्समध्ये उत्कृष्ट थर्मल चालकता असते, सामान्यत: पासून१२०-२०० प/चौकोनीटर, ज्यामुळे त्यांना ट्रान्झिस्टर आणि डायोड सारख्या उच्च-शक्तीच्या उपकरणांमध्ये उष्णता प्रभावीपणे व्यवस्थापित करता येते.
विस्तृत बँडगॅप:
च्या बँडगॅपसह३.२६ ईव्ही, 4H-SiC पारंपारिक सिलिकॉन-आधारित उपकरणांच्या तुलनेत उच्च व्होल्टेज, फ्रिक्वेन्सी आणि तापमानावर कार्य करू शकते, ज्यामुळे ते उच्च-कार्यक्षमता, उच्च-कार्यक्षमता अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनते.
विद्युत गुणधर्म:
SiC ची उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि चालकता ते आदर्श बनवतेपॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, जलद स्विचिंग गती आणि उच्च प्रवाह आणि व्होल्टेज हाताळणी क्षमता प्रदान करते, ज्यामुळे अधिक कार्यक्षम उर्जा व्यवस्थापन प्रणाली निर्माण होतात.
यांत्रिक आणि रासायनिक प्रतिकार:
SiC हे सर्वात कठीण पदार्थांपैकी एक आहे, जे हिऱ्यानंतर दुसऱ्या क्रमांकावर आहे, आणि ते ऑक्सिडेशन आणि गंजण्यास अत्यंत प्रतिरोधक आहे, ज्यामुळे ते कठोर वातावरणात टिकाऊ बनते.
SiC 4H-N प्रकारातील एपी वेफरचे अनुप्रयोग:
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स:
SiC 4H-N प्रकारचे एपि वेफर्स मोठ्या प्रमाणात वापरले जातातपॉवर MOSFETs, आयजीबीटी, आणिडायोड्ससाठीपॉवर रूपांतरणसारख्या प्रणालींमध्येसौर इन्व्हर्टर, इलेक्ट्रिक वाहने, आणिऊर्जा साठवण प्रणाली, वर्धित कार्यक्षमता आणि ऊर्जा कार्यक्षमता प्रदान करते.
इलेक्ट्रिक वाहने (EVs):
In इलेक्ट्रिक वाहनांसाठी पॉवरट्रेन, मोटर नियंत्रक, आणिचार्जिंग स्टेशन्स, SiC वेफर्स उच्च पॉवर आणि तापमान हाताळण्याच्या क्षमतेमुळे बॅटरीची कार्यक्षमता, जलद चार्जिंग आणि सुधारित एकूण ऊर्जा कार्यक्षमता साध्य करण्यास मदत करतात.
अक्षय ऊर्जा प्रणाली:
सोलर इन्व्हर्टर: SiC वेफर्स वापरले जातातसौर ऊर्जा प्रणालीसौर पॅनेलमधून डीसी पॉवर एसीमध्ये रूपांतरित करण्यासाठी, एकूण सिस्टम कार्यक्षमता आणि कार्यक्षमता वाढविण्यासाठी.
पवनचक्क्या: SiC तंत्रज्ञानाचा वापर यामध्ये केला जातोपवन टर्बाइन नियंत्रण प्रणाली, वीज निर्मिती आणि रूपांतरण कार्यक्षमता ऑप्टिमायझ करणे.
अवकाश आणि संरक्षण:
SiC वेफर्स वापरण्यासाठी आदर्श आहेतएरोस्पेस इलेक्ट्रॉनिक्सआणिलष्करी अनुप्रयोग, यासहरडार प्रणालीआणिउपग्रह इलेक्ट्रॉनिक्स, जिथे उच्च किरणोत्सर्ग प्रतिरोधकता आणि थर्मल स्थिरता महत्त्वाची असते.
उच्च-तापमान आणि उच्च-वारंवारता अनुप्रयोग:
SiC वेफर्स उत्कृष्ट कामगिरी करतातउच्च-तापमान इलेक्ट्रॉनिक्स, मध्ये वापरलेविमान इंजिन, अंतराळयान, आणिऔद्योगिक हीटिंग सिस्टम, कारण ते अत्यंत उष्णतेच्या परिस्थितीत कामगिरी राखतात. याव्यतिरिक्त, त्यांचा विस्तृत बँडगॅप वापरण्यास अनुमती देतोउच्च-वारंवारता अनुप्रयोगजसेआरएफ उपकरणेआणिमायक्रोवेव्ह कम्युनिकेशन्स.
| ६-इंच एन-टाइप एपिट अक्षीय तपशील | |||
| पॅरामीटर | युनिट | झेड-एमओएस | |
| प्रकार | वाहकता / डोपंट | - | एन-प्रकार / नायट्रोजन |
| बफर लेयर | बफर लेयरची जाडी | um | 1 |
| बफर लेयर जाडी सहनशीलता | % | ±२०% | |
| बफर लेयर कॉन्सन्ट्रेसन | सेमी-३ | १.००इ+१८ | |
| बफर लेयर एकाग्रता सहनशीलता | % | ±२०% | |
| पहिला एपि लेयर | एपीआय लेयरची जाडी | um | ११.५ |
| एपीआय लेयर जाडी एकरूपता | % | ±४% | |
| एपीआय लेयर्स जाडी सहनशीलता((विशिष्टता- कमाल, किमान)/विशिष्टता) | % | ±५% | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेशन | सेमी-३ | १इ १५~ १इ १८ | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेसन टॉलरन्स | % | 6% | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेसन एकरूपता (σ) /सरासरी) | % | ≤५% | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेशन एकरूपता <(कमाल-मिनिट)/(कमाल+मिनिट> | % | ≤ १०% | |
| एपिटेक्सल वेफर आकार | धनुष्य | um | ≤±२० |
| वॉर्प | um | ≤३० | |
| टीटीव्ही | um | ≤ १० | |
| एलटीव्ही | um | ≤२ | |
| सामान्य वैशिष्ट्ये | स्क्रॅच लांबी | mm | ≤३० मिमी |
| एज चिप्स | - | काहीही नाही | |
| दोषांची व्याख्या | ≥९७% (२*२ ने मोजले,) किलर दोषांमध्ये हे समाविष्ट आहे: दोषांमध्ये समाविष्ट आहे मायक्रोपाइप / मोठे खड्डे, गाजर, त्रिकोणी | ||
| धातूचे प्रदूषण | अणू/सेमी² | d f f l i ≤5E10 अणू/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, (एचजी, ना, के, टीआय, कॅलस आणि एमएन) | |
| पॅकेज | पॅकिंग तपशील | तुकडे/बॉक्स | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
| ८-इंच एन-टाइप एपिटॅक्सियल स्पेसिफिकेशन | |||
| पॅरामीटर | युनिट | झेड-एमओएस | |
| प्रकार | वाहकता / डोपंट | - | एन-प्रकार / नायट्रोजन |
| बफर थर | बफर लेयरची जाडी | um | 1 |
| बफर लेयर जाडी सहनशीलता | % | ±२०% | |
| बफर लेयर कॉन्सन्ट्रेसन | सेमी-३ | १.००इ+१८ | |
| बफर लेयर एकाग्रता सहनशीलता | % | ±२०% | |
| पहिला एपि लेयर | एपीआय लेयर्सची सरासरी जाडी | um | ८ ~ १२ |
| एपीआय लेयर्सची जाडी एकरूपता (σ/सरासरी) | % | ≤२.० | |
| एपीआय लेयर्स जाडी सहनशीलता ((विशिष्ट - कमाल, किमान)/विशिष्ट) | % | ±६ | |
| एपीआय लेयर्स नेट सरासरी डोपिंग | सेमी-३ | ८इ+१५ ~२इ+१६ | |
| एपीआय लेयर्स नेट डोपिंग एकरूपता (σ/सरासरी) | % | ≤५ | |
| एपीआय लेयर्स नेट डोपिंग टॉलरन्स ((स्पेक - कमाल, | % | ± १०.० | |
| एपिटेक्सल वेफर आकार | मी )/एस ) वार्प | um | ≤५०.० |
| धनुष्य | um | ± ३०.० | |
| टीटीव्ही | um | ≤ १०.० | |
| एलटीव्ही | um | ≤४.० (१० मिमी × १० मिमी) | |
| सामान्य वैशिष्ट्ये | ओरखडे | - | संचयी लांबी≤ १/२वेफर व्यास |
| एज चिप्स | - | ≤२ चिप्स, प्रत्येक त्रिज्या≤१.५ मिमी | |
| पृष्ठभाग धातू दूषित होणे | अणू/सेमी२ | ≤5E10 अणू/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, (एचजी, ना, के, टीआय, कॅलस आणि एमएन) | |
| दोष तपासणी | % | ≥ ९६.० (२X२ दोषांमध्ये मायक्रोपाइप / मोठे खड्डे समाविष्ट आहेत, गाजर, त्रिकोणी दोष, अधोगती, (रेषीय/IGSF-s, BPD) | |
| पृष्ठभाग धातू दूषित होणे | अणू/सेमी२ | ≤5E10 अणू/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, (एचजी, ना, के, टीआय, कॅलस आणि एमएन) | |
| पॅकेज | पॅकिंग तपशील | - | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
SiC वेफरचे प्रश्नोत्तरे
प्रश्न १: पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये पारंपारिक सिलिकॉन वेफर्सपेक्षा SiC वेफर्स वापरण्याचे मुख्य फायदे काय आहेत?
अ१:
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये पारंपारिक सिलिकॉन (Si) वेफर्सपेक्षा SiC वेफर्सचे अनेक प्रमुख फायदे आहेत, ज्यात हे समाविष्ट आहे:
उच्च कार्यक्षमता: सिलिकॉन (१.१ eV) च्या तुलनेत SiC मध्ये विस्तृत बँडगॅप (३.२६ eV) आहे, ज्यामुळे उपकरणे उच्च व्होल्टेज, फ्रिक्वेन्सी आणि तापमानावर ऑपरेट करू शकतात. यामुळे पॉवर रूपांतरण प्रणालींमध्ये कमी पॉवर लॉस आणि उच्च कार्यक्षमता होते.
उच्च औष्णिक चालकता: SiC ची थर्मल चालकता सिलिकॉनपेक्षा खूप जास्त आहे, ज्यामुळे उच्च-शक्तीच्या अनुप्रयोगांमध्ये उष्णता नष्ट होण्यास मदत होते, ज्यामुळे पॉवर उपकरणांची विश्वासार्हता आणि आयुष्यमान सुधारते.
जास्त व्होल्टेज आणि करंट हाताळणी: SiC उपकरणे उच्च व्होल्टेज आणि विद्युत प्रवाह पातळी हाताळू शकतात, ज्यामुळे ते इलेक्ट्रिक वाहने, अक्षय ऊर्जा प्रणाली आणि औद्योगिक मोटर ड्राइव्ह सारख्या उच्च-शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनतात.
जलद स्विचिंग गती: SiC उपकरणांमध्ये जलद स्विचिंग क्षमता असते, ज्यामुळे ऊर्जा नुकसान आणि सिस्टम आकार कमी होण्यास हातभार लागतो, ज्यामुळे ते उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनतात.
प्रश्न २: ऑटोमोटिव्ह उद्योगात SiC वेफर्सचे मुख्य उपयोग काय आहेत?
ए२:
ऑटोमोटिव्ह उद्योगात, SiC वेफर्स प्रामुख्याने वापरले जातात:
इलेक्ट्रिक वाहन (EV) पॉवरट्रेन: SiC-आधारित घटक जसे कीइन्व्हर्टरआणिपॉवर MOSFETsजलद स्विचिंग गती आणि उच्च ऊर्जा घनता सक्षम करून इलेक्ट्रिक वाहन पॉवरट्रेनची कार्यक्षमता आणि कार्यक्षमता सुधारणे. यामुळे बॅटरीचे आयुष्य जास्त होते आणि एकूण वाहनाची कार्यक्षमता चांगली होते.
ऑन-बोर्ड चार्जर्स: SiC उपकरणे जलद चार्जिंग वेळा आणि चांगले थर्मल व्यवस्थापन सक्षम करून ऑन-बोर्ड चार्जिंग सिस्टमची कार्यक्षमता सुधारण्यास मदत करतात, जे उच्च-शक्तीच्या चार्जिंग स्टेशनना समर्थन देण्यासाठी EVs साठी अत्यंत महत्वाचे आहे.
बॅटरी व्यवस्थापन प्रणाली (BMS): SiC तंत्रज्ञान कार्यक्षमता सुधारतेबॅटरी व्यवस्थापन प्रणाली, ज्यामुळे चांगले व्होल्टेज नियमन, उच्च पॉवर हाताळणी आणि जास्त बॅटरी आयुष्य मिळते.
डीसी-डीसी कन्व्हर्टर: SiC वेफर्स वापरले जातातडीसी-डीसी कन्व्हर्टरउच्च-व्होल्टेज डीसी पॉवरला कमी-व्होल्टेज डीसी पॉवरमध्ये अधिक कार्यक्षमतेने रूपांतरित करणे, जे इलेक्ट्रिक वाहनांमध्ये बॅटरीपासून वाहनातील विविध घटकांपर्यंत वीज व्यवस्थापित करण्यासाठी अत्यंत महत्वाचे आहे.
उच्च-व्होल्टेज, उच्च-तापमान आणि उच्च-कार्यक्षमतेच्या अनुप्रयोगांमध्ये SiC ची उत्कृष्ट कामगिरी ऑटोमोटिव्ह उद्योगाच्या इलेक्ट्रिक मोबिलिटीकडे संक्रमणासाठी ते आवश्यक बनवते.
६ इंच ४H-N प्रकारच्या SiC वेफरचे तपशील | ||
| मालमत्ता | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| ग्रेड | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| व्यास | १४९.५ मिमी - १५०.० मिमी | १४९.५ मिमी - १५०.० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी | ३५० मायक्रॉन ± १५ मायक्रॉन | ३५० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन |
| वेफर ओरिएंटेशन | अक्षाबाहेर: ४.०° <११२०> ± ०.५° च्या दिशेने | अक्षाबाहेर: ४.०° <११२०> ± ०.५° च्या दिशेने |
| मायक्रोपाइप घनता | ≤ ०.२ सेमी² | ≤ १५ सेमी² |
| प्रतिरोधकता | ०.०१५ - ०.०२४ Ω·सेमी | ०.०१५ – ०.०२८ Ω·सेमी |
| प्राथमिक सपाट दिशानिर्देश | [१०-१०] ± ५०° | [१०-१०] ± ५०° |
| प्राथमिक फ्लॅट लांबी | ४७५ मिमी ± २.० मिमी | ४७५ मिमी ± २.० मिमी |
| एज एक्सक्लुजन | ३ मिमी | ३ मिमी |
| एलटीव्ही/टीआयव्ही / धनुष्य / वॉर्प | ≤ 2.5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm |
| खडबडीतपणा | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर |
| सीएमपी रा | ≤ ०.२ एनएम | ≤ ०.५ एनएम |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे कडा भेगा पडतात | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाद्वारे हेक्स प्लेट्स | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.१% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार पॉलीटाइप क्षेत्रे | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ३% |
| व्हिज्युअल कार्बन समावेश | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ५% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागावर ओरखडे येणे | संचयी लांबी ≤ १ वेफर व्यास | |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने एज चिप्स | ≥ ०.२ मिमी रुंदी आणि खोलीला परवानगी नाही | ७ परवानगी आहे, प्रत्येकी ≤ १ मिमी |
| थ्रेडिंग स्क्रू डिसलोकेशन | < ५०० सेमी³ | < ५०० सेमी³ |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागाचे दूषितीकरण | ||
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
८ इंच ४H-N प्रकारच्या SiC वेफरचे तपशील | ||
| मालमत्ता | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| ग्रेड | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| व्यास | १९९.५ मिमी - २००.० मिमी | १९९.५ मिमी - २००.० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी | ५०० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन | ५०० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन |
| वेफर ओरिएंटेशन | ४.०° <११०> ± ०.५° च्या दिशेने | ४.०° <११०> ± ०.५° च्या दिशेने |
| मायक्रोपाइप घनता | ≤ ०.२ सेमी² | ≤ ५ सेमी² |
| प्रतिरोधकता | ०.०१५ - ०.०२५ Ω·सेमी | ०.०१५ – ०.०२८ Ω·सेमी |
| नोबल ओरिएंटेशन | ||
| एज एक्सक्लुजन | ३ मिमी | ३ मिमी |
| एलटीव्ही/टीआयव्ही / धनुष्य / वॉर्प | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm | ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm |
| खडबडीतपणा | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर | पोलिश रा ≤ १ नॅनोमीटर |
| सीएमपी रा | ≤ ०.२ एनएम | ≤ ०.५ एनएम |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे कडा भेगा पडतात | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी | संचयी लांबी ≤ २० मिमी एकल लांबी ≤ २ मिमी |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाद्वारे हेक्स प्लेट्स | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.१% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार पॉलीटाइप क्षेत्रे | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ३% |
| व्हिज्युअल कार्बन समावेश | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ०.०५% | संचयी क्षेत्रफळ ≤ ५% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागावर ओरखडे येणे | संचयी लांबी ≤ १ वेफर व्यास | |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने एज चिप्स | ≥ ०.२ मिमी रुंदी आणि खोलीला परवानगी नाही | ७ परवानगी आहे, प्रत्येकी ≤ १ मिमी |
| थ्रेडिंग स्क्रू डिसलोकेशन | < ५०० सेमी³ | < ५०० सेमी³ |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागाचे दूषितीकरण | ||
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
६ इंच ४H-सेमी SiC सब्सट्रेट स्पेसिफिकेशन | ||
| मालमत्ता | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
| व्यास (मिमी) | १४५ मिमी - १५० मिमी | १४५ मिमी - १५० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी (अंश) | ५०० ± १५ | ५०० ± २५ |
| वेफर ओरिएंटेशन | अक्षावर: ±०.०००१° | अक्षावर: ±०.०५° |
| मायक्रोपाइप घनता | ≤ १५ सेमी-२ | ≤ १५ सेमी-२ |
| प्रतिरोधकता (Ωसेमी) | ≥ १०E३ | ≥ १०E३ |
| प्राथमिक सपाट दिशानिर्देश | (०-१०)° ± ५.०° | (१०-१०)° ± ५.०° |
| प्राथमिक फ्लॅट लांबी | खाच | खाच |
| कडा वगळणे (मिमी) | ≤ २.५ मायक्रॉन / ≤ १५ मायक्रॉन | ≤ ५.५ मायक्रॉन / ≤ ३५ मायक्रॉन |
| एलटीव्ही / बाउल / वॉर्प | ≤ ३ मायक्रॉन | ≤ ३ मायक्रॉन |
| खडबडीतपणा | पोलिश रा ≤ १.५ मायक्रॉन | पोलिश रा ≤ १.५ मायक्रॉन |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने एज चिप्स | ≤ २० मायक्रॉन | ≤ ६० मायक्रॉन |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशाने प्लेट्स गरम करा | संचयी ≤ ०.०५% | संचयी ≤ ३% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार पॉलीटाइप क्षेत्रे | व्हिज्युअल कार्बन समावेश ≤ ०.०५% | संचयी ≤ ३% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागावर ओरखडे येणे | ≤ ०.०५% | संचयी ≤ ४% |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशानुसार एज चिप्स (आकार) | परवानगी नाही > ०२ मिमी रुंदी आणि खोली | परवानगी नाही > ०२ मिमी रुंदी आणि खोली |
| सहाय्यक स्क्रू डायलेशन | ≤ ५०० मायक्रॉन | ≤ ५०० मायक्रॉन |
| उच्च तीव्रतेच्या प्रकाशामुळे सिलिकॉन पृष्ठभागाचे दूषितीकरण | ≤ १ x १०^५ | ≤ १ x १०^५ |
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
४-इंच ४H-सेमी इन्सुलेटिंग SiC सब्सट्रेट स्पेसिफिकेशन
| पॅरामीटर | शून्य एमपीडी उत्पादन ग्रेड (झेड ग्रेड) | डमी ग्रेड (डी ग्रेड) |
|---|---|---|
| भौतिक गुणधर्म | ||
| व्यास | ९९.५ मिमी - १००.० मिमी | ९९.५ मिमी - १००.० मिमी |
| पॉली-टाइप | 4H | 4H |
| जाडी | ५०० मायक्रॉन ± १५ मायक्रॉन | ५०० मायक्रॉन ± २५ मायक्रॉन |
| वेफर ओरिएंटेशन | अक्षावर: <600h > 0.5° | अक्षावर: <000h > 0.5° |
| विद्युत गुणधर्म | ||
| मायक्रोपाइप घनता (MPD) | ≤१ सेमी⁻² | ≤१५ सेमी⁻² |
| प्रतिरोधकता | ≥१५० Ω·सेमी | ≥१.५ Ω·सेमी |
| भौमितिक सहनशीलता | ||
| प्राथमिक सपाट दिशानिर्देश | (०×१०) ± ५.०° | (०×१०) ± ५.०° |
| प्राथमिक फ्लॅट लांबी | ५२.५ मिमी ± २.० मिमी | ५२.५ मिमी ± २.० मिमी |
| दुय्यम फ्लॅट लांबी | १८.० मिमी ± २.० मिमी | १८.० मिमी ± २.० मिमी |
| दुय्यम फ्लॅट ओरिएंटेशन | प्राइम फ्लॅट पासून ९०° CW ± ५.०° (Si समोर) | प्राइम फ्लॅट पासून ९०° CW ± ५.०° (Si समोर) |
| एज एक्सक्लुजन | ३ मिमी | ३ मिमी |
| एलटीव्ही / टीटीव्ही / बो / वार्प | ≤2.5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm |
| पृष्ठभागाची गुणवत्ता | ||
| पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा (पोलिश रा) | ≤१ एनएम | ≤१ एनएम |
| पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा (CMP Ra) | ≤०.२ एनएम | ≤०.२ एनएम |
| कडा भेगा (उच्च-तीव्रतेचा प्रकाश) | परवानगी नाही | संचयी लांबी ≥१० मिमी, एकच क्रॅक ≤२ मिमी |
| षटकोनी प्लेट दोष | ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफळ | ≤0.1% संचयी क्षेत्रफळ |
| पॉलीटाइप समावेश क्षेत्रे | परवानगी नाही | ≤१% संचयी क्षेत्रफळ |
| व्हिज्युअल कार्बन समावेश | ≤०.०५% संचयी क्षेत्रफळ | ≤१% संचयी क्षेत्रफळ |
| सिलिकॉन पृष्ठभागावरील ओरखडे | परवानगी नाही | ≤1 वेफर व्यास संचयी लांबी |
| एज चिप्स | काहीही परवानगी नाही (≥०.२ मिमी रुंदी/खोली) | ≤५ चिप्स (प्रत्येक ≤१ मिमी) |
| सिलिकॉन पृष्ठभाग दूषित होणे | निर्दिष्ट नाही | निर्दिष्ट नाही |
| पॅकेजिंग | ||
| पॅकेजिंग | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल-वेफर कंटेनर | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा |
| ६-इंच एन-टाइप एपिट अक्षीय तपशील | |||
| पॅरामीटर | युनिट | झेड-एमओएस | |
| प्रकार | वाहकता / डोपंट | - | एन-प्रकार / नायट्रोजन |
| बफर लेयर | बफर लेयरची जाडी | um | 1 |
| बफर लेयर जाडी सहनशीलता | % | ±२०% | |
| बफर लेयर कॉन्सन्ट्रेसन | सेमी-३ | १.००इ+१८ | |
| बफर लेयर एकाग्रता सहनशीलता | % | ±२०% | |
| पहिला एपि लेयर | एपीआय लेयरची जाडी | um | ११.५ |
| एपीआय लेयर जाडी एकरूपता | % | ±४% | |
| एपीआय लेयर्स जाडी सहनशीलता((विशिष्टता- कमाल, किमान)/विशिष्टता) | % | ±५% | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेशन | सेमी-३ | १इ १५~ १इ १८ | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेसन टॉलरन्स | % | 6% | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेसन एकरूपता (σ) /सरासरी) | % | ≤५% | |
| एपीआय लेयर कॉन्सन्ट्रेशन एकरूपता <(कमाल-मिनिट)/(कमाल+मिनिट> | % | ≤ १०% | |
| एपिटेक्सल वेफर आकार | धनुष्य | um | ≤±२० |
| वॉर्प | um | ≤३० | |
| टीटीव्ही | um | ≤ १० | |
| एलटीव्ही | um | ≤२ | |
| सामान्य वैशिष्ट्ये | स्क्रॅच लांबी | mm | ≤३० मिमी |
| एज चिप्स | - | काहीही नाही | |
| दोषांची व्याख्या | ≥९७% (२*२ ने मोजले,) किलर दोषांमध्ये हे समाविष्ट आहे: दोषांमध्ये समाविष्ट आहे मायक्रोपाइप / मोठे खड्डे, गाजर, त्रिकोणी | ||
| धातूचे प्रदूषण | अणू/सेमी² | d f f l i ≤5E10 अणू/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, (एचजी, ना, के, टीआय, कॅलस आणि एमएन) | |
| पॅकेज | पॅकिंग तपशील | तुकडे/बॉक्स | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
| ८-इंच एन-टाइप एपिटॅक्सियल स्पेसिफिकेशन | |||
| पॅरामीटर | युनिट | झेड-एमओएस | |
| प्रकार | वाहकता / डोपंट | - | एन-प्रकार / नायट्रोजन |
| बफर थर | बफर लेयरची जाडी | um | 1 |
| बफर लेयर जाडी सहनशीलता | % | ±२०% | |
| बफर लेयर कॉन्सन्ट्रेसन | सेमी-३ | १.००इ+१८ | |
| बफर लेयर एकाग्रता सहनशीलता | % | ±२०% | |
| पहिला एपि लेयर | एपीआय लेयर्सची सरासरी जाडी | um | ८ ~ १२ |
| एपीआय लेयर्सची जाडी एकरूपता (σ/सरासरी) | % | ≤२.० | |
| एपीआय लेयर्स जाडी सहनशीलता ((विशिष्ट - कमाल, किमान)/विशिष्ट) | % | ±६ | |
| एपीआय लेयर्स नेट सरासरी डोपिंग | सेमी-३ | ८इ+१५ ~२इ+१६ | |
| एपीआय लेयर्स नेट डोपिंग एकरूपता (σ/सरासरी) | % | ≤५ | |
| एपीआय लेयर्स नेट डोपिंग टॉलरन्स ((स्पेक - कमाल, | % | ± १०.० | |
| एपिटेक्सल वेफर आकार | मी )/एस ) वार्प | um | ≤५०.० |
| धनुष्य | um | ± ३०.० | |
| टीटीव्ही | um | ≤ १०.० | |
| एलटीव्ही | um | ≤४.० (१० मिमी × १० मिमी) | |
| सामान्य वैशिष्ट्ये | ओरखडे | - | संचयी लांबी≤ १/२वेफर व्यास |
| एज चिप्स | - | ≤२ चिप्स, प्रत्येक त्रिज्या≤१.५ मिमी | |
| पृष्ठभाग धातू दूषित होणे | अणू/सेमी२ | ≤5E10 अणू/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, (एचजी, ना, के, टीआय, कॅलस आणि एमएन) | |
| दोष तपासणी | % | ≥ ९६.० (२X२ दोषांमध्ये मायक्रोपाइप / मोठे खड्डे समाविष्ट आहेत, गाजर, त्रिकोणी दोष, अधोगती, (रेषीय/IGSF-s, BPD) | |
| पृष्ठभाग धातू दूषित होणे | अणू/सेमी२ | ≤5E10 अणू/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, (एचजी, ना, के, टीआय, कॅलस आणि एमएन) | |
| पॅकेज | पॅकिंग तपशील | - | मल्टी-वेफर कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनर |
प्रश्न १: पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये पारंपारिक सिलिकॉन वेफर्सपेक्षा SiC वेफर्स वापरण्याचे मुख्य फायदे काय आहेत?
अ१:
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये पारंपारिक सिलिकॉन (Si) वेफर्सपेक्षा SiC वेफर्सचे अनेक प्रमुख फायदे आहेत, ज्यात हे समाविष्ट आहे:
उच्च कार्यक्षमता: सिलिकॉन (१.१ eV) च्या तुलनेत SiC मध्ये विस्तृत बँडगॅप (३.२६ eV) आहे, ज्यामुळे उपकरणे उच्च व्होल्टेज, फ्रिक्वेन्सी आणि तापमानावर ऑपरेट करू शकतात. यामुळे पॉवर रूपांतरण प्रणालींमध्ये कमी पॉवर लॉस आणि उच्च कार्यक्षमता होते.
उच्च औष्णिक चालकता: SiC ची थर्मल चालकता सिलिकॉनपेक्षा खूप जास्त आहे, ज्यामुळे उच्च-शक्तीच्या अनुप्रयोगांमध्ये उष्णता नष्ट होण्यास मदत होते, ज्यामुळे पॉवर उपकरणांची विश्वासार्हता आणि आयुष्यमान सुधारते.
जास्त व्होल्टेज आणि करंट हाताळणी: SiC उपकरणे उच्च व्होल्टेज आणि विद्युत प्रवाह पातळी हाताळू शकतात, ज्यामुळे ते इलेक्ट्रिक वाहने, अक्षय ऊर्जा प्रणाली आणि औद्योगिक मोटर ड्राइव्ह सारख्या उच्च-शक्तीच्या अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनतात.
जलद स्विचिंग गती: SiC उपकरणांमध्ये जलद स्विचिंग क्षमता असते, ज्यामुळे ऊर्जा नुकसान आणि सिस्टम आकार कमी होण्यास हातभार लागतो, ज्यामुळे ते उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनतात.
प्रश्न २: ऑटोमोटिव्ह उद्योगात SiC वेफर्सचे मुख्य उपयोग काय आहेत?
ए२:
ऑटोमोटिव्ह उद्योगात, SiC वेफर्स प्रामुख्याने वापरले जातात:
इलेक्ट्रिक वाहन (EV) पॉवरट्रेन: SiC-आधारित घटक जसे कीइन्व्हर्टरआणिपॉवर MOSFETsजलद स्विचिंग गती आणि उच्च ऊर्जा घनता सक्षम करून इलेक्ट्रिक वाहन पॉवरट्रेनची कार्यक्षमता आणि कार्यक्षमता सुधारणे. यामुळे बॅटरीचे आयुष्य जास्त होते आणि एकूण वाहनाची कार्यक्षमता चांगली होते.
ऑन-बोर्ड चार्जर्स: SiC उपकरणे जलद चार्जिंग वेळा आणि चांगले थर्मल व्यवस्थापन सक्षम करून ऑन-बोर्ड चार्जिंग सिस्टमची कार्यक्षमता सुधारण्यास मदत करतात, जे उच्च-शक्तीच्या चार्जिंग स्टेशनना समर्थन देण्यासाठी EVs साठी अत्यंत महत्वाचे आहे.
बॅटरी व्यवस्थापन प्रणाली (BMS): SiC तंत्रज्ञान कार्यक्षमता सुधारतेबॅटरी व्यवस्थापन प्रणाली, ज्यामुळे चांगले व्होल्टेज नियमन, उच्च पॉवर हाताळणी आणि जास्त बॅटरी आयुष्य मिळते.
डीसी-डीसी कन्व्हर्टर: SiC वेफर्स वापरले जातातडीसी-डीसी कन्व्हर्टरउच्च-व्होल्टेज डीसी पॉवरला कमी-व्होल्टेज डीसी पॉवरमध्ये अधिक कार्यक्षमतेने रूपांतरित करणे, जे इलेक्ट्रिक वाहनांमध्ये बॅटरीपासून वाहनातील विविध घटकांपर्यंत वीज व्यवस्थापित करण्यासाठी अत्यंत महत्वाचे आहे.
उच्च-व्होल्टेज, उच्च-तापमान आणि उच्च-कार्यक्षमतेच्या अनुप्रयोगांमध्ये SiC ची उत्कृष्ट कामगिरी ऑटोमोटिव्ह उद्योगाच्या इलेक्ट्रिक मोबिलिटीकडे संक्रमणासाठी ते आवश्यक बनवते.
संबंधित उत्पादने
-
२ इंच SiC वेफर्स ६H किंवा ४H सेमी-इन्सुलेटिंग SiC...
-
पॉवर उपकरणांसाठी SiC एपिटॅक्सियल वेफर - 4H-SiC,...
-
२ इंच ६ एच-एन सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट सिलिक वेफर...
-
SiC सब्सट्रेट P आणि D ग्रेड व्यास 50 मिमी 4H-N 2 इंच
-
4H-N 8 इंच SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकॉन कार्बाइड...
-
२ इंच सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स ६ एच किंवा ४ एच एन-प्रकार ओ...