एसआयसी
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MOS किंवा SBD साठी 4H-N HPSI SiC वेफर 6H-N 6H-P 3C-N SiC एपिटॅक्सियल वेफर
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पॉवर उपकरणांसाठी SiC एपिटॅक्सियल वेफर - 4H-SiC, N-प्रकार, कमी दोष घनता
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4H-N प्रकार SiC एपिटॅक्सियल वेफर उच्च व्होल्टेज उच्च वारंवारता
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३ इंच उच्च शुद्धता (अनडोप्ड) सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स सेमी-इन्सुलेटिंग सिक सबस्ट्रेट्स (HPSl)
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४H-N ८ इंच SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकॉन कार्बाइड डमी रिसर्च ग्रेड ५००um जाडी
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4H-N/6H-N SiC वेफर रिसर्च उत्पादन डमी ग्रेड Dia150mm सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट
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एयू लेपित वेफर, नीलम वेफर, सिलिकॉन वेफर, एसआयसी वेफर, २ इंच ४ इंच ६ इंच, सोनेरी लेपित जाडपणा १० एनएम ५० एनएम १०० एनएम
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SiC वेफर 4H-N 6H-N HPSI 4H-सेमी 6H-सेमी 4H-P 6H-P 3C प्रकार 2 इंच 3 इंच 4 इंच 6 इंच 8 इंच
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२ इंच सिसिक सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट ६एच-एन प्रकार ०.३३ मिमी ०.४३ मिमी दुहेरी बाजू असलेला पॉलिशिंग उच्च थर्मल चालकता कमी वीज वापर
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SiC सब्सट्रेट ३ इंच ३५० um जाडी HPSI प्रकार प्राइम ग्रेड डमी ग्रेड
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सिलिकॉन कार्बाइड SiC इनगॉट ६ इंच N प्रकार डमी/प्राइम ग्रेड जाडी कस्टमाइज्ड करता येते
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सिलिकॉन कार्बाइड 4H-SiC सेमी-इन्सुलेटिंग इनगॉट, डमी ग्रेडमध्ये 6