सिलिकॉन कार्बाइड डायमंड वायर कटिंग मशीन ४/६/८/१२ इंच SiC इनगॉट प्रोसेसिंग

संक्षिप्त वर्णन:

सिलिकॉन कार्बाइड डायमंड वायर कटिंग मशीन हे सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) इनगॉट स्लाईससाठी समर्पित एक प्रकारचे उच्च-परिशुद्धता प्रक्रिया उपकरण आहे, जे डायमंड वायर सॉ तंत्रज्ञानाचा वापर करून, हाय-स्पीड मूव्हिंग डायमंड वायर (लाइन व्यास 0.1~0.3 मिमी) ते SiC इनगॉट मल्टी-वायर कटिंगद्वारे, उच्च-परिशुद्धता, कमी-नुकसान वेफर तयारी साध्य करण्यासाठी. हे उपकरण SiC पॉवर सेमीकंडक्टर (MOSFET/SBD), रेडिओ फ्रिक्वेन्सी डिव्हाइस (GaN-on-SiC) आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक डिव्हाइस सब्सट्रेट प्रोसेसिंगमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते, हे SiC उद्योग साखळीतील एक प्रमुख उपकरण आहे.

आम्हाला ईमेल पाठवा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग्ज

कामाचे तत्व:

१. इनगॉट फिक्सेशन: स्थिती अचूकता (±०.०२ मिमी) सुनिश्चित करण्यासाठी फिक्स्चरद्वारे कटिंग प्लॅटफॉर्मवर SiC इनगॉट (४H/६H-SiC) निश्चित केले जाते.

२. डायमंड लाइन हालचाल: डायमंड लाइन (पृष्ठभागावर इलेक्ट्रोप्लेटेड डायमंड कण) हाय-स्पीड सर्कुलेशनसाठी मार्गदर्शक व्हील सिस्टमद्वारे चालविली जाते (रेषेचा वेग १०~३० मी/सेकंद).

३. कटिंग फीड: पिंडाला निश्चित दिशेने दिले जाते आणि डायमंड लाइन एकाच वेळी अनेक समांतर रेषांसह (१००~५०० रेषा) कापली जाते जेणेकरून अनेक वेफर्स तयार होतात.

४. थंड करणे आणि चिप्स काढणे: उष्णतेचे नुकसान कमी करण्यासाठी आणि चिप्स काढण्यासाठी कटिंग क्षेत्रात शीतलक (डीआयोनाइज्ड वॉटर + अॅडिटीव्ह) स्प्रे करा.

मुख्य पॅरामीटर्स:

१. कटिंग स्पीड: ०.२~१.० मिमी/मिनिट (स्फटिकाची दिशा आणि SiC ची जाडी यावर अवलंबून).

२. रेषेचा ताण: २०~५०N (रेषा तोडणे खूप जास्त सोपे, कटिंग अचूकतेवर खूप कमी परिणाम करते).

३. वेफरची जाडी: मानक ३५०~५००μm, वेफर १००μm पर्यंत पोहोचू शकते.

मुख्य वैशिष्ट्ये:

(१) कटिंग अचूकता
जाडी सहनशीलता: ±5μm (@350μm वेफर), पारंपारिक मोर्टार कटिंगपेक्षा चांगले (±20μm).

पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा: Ra<0.5μm (नंतरच्या प्रक्रियेचे प्रमाण कमी करण्यासाठी अतिरिक्त ग्राइंडिंगची आवश्यकता नाही).

वॉरपेज: <10μm (नंतरच्या पॉलिशिंगची अडचण कमी करा).

(२) प्रक्रिया कार्यक्षमता
मल्टी-लाइन कटिंग: एका वेळी १००~५०० तुकडे कापणे, उत्पादन क्षमता ३~५ पट वाढवणे (सिंगल लाईन कटच्या तुलनेत).

रेषेचे आयुष्य: डायमंड लाइन १००~३०० किमी SiC कापू शकते (इंगॉट कडकपणा आणि प्रक्रिया ऑप्टिमायझेशनवर अवलंबून).

(३) कमी नुकसान प्रक्रिया
कडा तुटणे: <15μm (पारंपारिक कटिंग >50μm), वेफर उत्पन्न सुधारते.

पृष्ठभागाच्या पृष्ठभागावरील नुकसान थर: <5μm (पॉलिशिंग काढणे कमी करा).

(४) पर्यावरण संरक्षण आणि अर्थव्यवस्था
मोर्टार दूषित होणार नाही: मोर्टार कटिंगच्या तुलनेत कचरा द्रव विल्हेवाट लावण्याचा खर्च कमी.

साहित्याचा वापर: कटिंग लॉस <100μm/ कटर, SiC कच्च्या मालाची बचत.

कटिंग इफेक्ट:

१. वेफरची गुणवत्ता: पृष्ठभागावर मॅक्रोस्कोपिक क्रॅक नाहीत, काही सूक्ष्म दोष (नियंत्रित विस्थापन विस्तार). थेट खडबडीत पॉलिशिंग लिंकमध्ये प्रवेश करू शकते, प्रक्रिया प्रवाह कमी करू शकते.

२. सुसंगतता: बॅचमधील वेफरची जाडी विचलन <±३% आहे, स्वयंचलित उत्पादनासाठी योग्य.

३.उपलब्धता: ४H/६H-SiC इनगॉट कटिंगला सपोर्ट, कंडक्टिव्ह/सेमी-इन्सुलेटेड प्रकाराशी सुसंगत.

तांत्रिक तपशील:

तपशील	तपशील
परिमाणे (L × W × H)	२५००x२३००x२५०० किंवा कस्टमाइझ करा
प्रक्रिया सामग्री आकार श्रेणी	४, ६, ८, १०, १२ इंच सिलिकॉन कार्बाइड
पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा	रॅ≤०.३यू
सरासरी कटिंग गती	०.३ मिमी/मिनिट
वजन	५.५ टन
कटिंग प्रक्रिया सेटिंग चरणे	≤३० पावले
उपकरणांचा आवाज	≤८० डीबी
स्टील वायरचा ताण	०~११०N(०.२५ वायर टेंशन ४५N आहे)
स्टील वायरचा वेग	०~३० मी/सेकंद
एकूण शक्ती	५० किलोवॅट
डायमंड वायर व्यास	≥०.१८ मिमी
सपाटपणा संपवा	≤०.०५ मिमी
कटिंग आणि ब्रेकिंग रेट	≤१% (मानवी कारणे, सिलिकॉन मटेरियल, लाइन, देखभाल आणि इतर कारणे वगळता)

XKH सेवा:

XKH सिलिकॉन कार्बाइड डायमंड वायर कटिंग मशीनची संपूर्ण प्रक्रिया सेवा प्रदान करते, ज्यामध्ये उपकरणे निवड (वायर व्यास/वायर स्पीड मॅचिंग), प्रक्रिया विकास (कटिंग पॅरामीटर ऑप्टिमायझेशन), उपभोग्य वस्तूंचा पुरवठा (डायमंड वायर, मार्गदर्शक चाक) आणि विक्रीनंतरचे समर्थन (उपकरणे देखभाल, कटिंग गुणवत्ता विश्लेषण) यांचा समावेश आहे, जेणेकरून ग्राहकांना उच्च उत्पन्न (>95%), कमी किमतीचे SiC वेफर मास उत्पादन साध्य करता येईल. ते 4-8 आठवड्यांच्या लीड टाइमसह कस्टमाइज्ड अपग्रेड (जसे की अल्ट्रा-थिन कटिंग, ऑटोमेटेड लोडिंग आणि अनलोडिंग) देखील देते.