नीलमणीवरील NPSS/FSS AlN टेम्पलेटवर ५०.८ मिमी/१०० मिमी AlN टेम्पलेट
अलएन-ऑन-सॅफायर
AlN-ऑन-सॅफायरचा वापर विविध फोटोइलेक्ट्रिक उपकरणे बनवण्यासाठी केला जाऊ शकतो, जसे की:
१. एलईडी चिप्स: एलईडी चिप्स सहसा अॅल्युमिनियम नायट्राइड फिल्म्स आणि इतर साहित्यापासून बनवल्या जातात. एलईडी चिप्सच्या सब्सट्रेट म्हणून एलएन-ऑन-सॅफायर वेफर्सचा वापर करून एलईडीची कार्यक्षमता आणि स्थिरता सुधारता येते.
२. लेसर: AlN-ऑन-सॅफायर वेफर्सचा वापर लेसरसाठी सब्सट्रेट म्हणून देखील केला जाऊ शकतो, जे सामान्यतः वैद्यकीय, संप्रेषण आणि साहित्य प्रक्रियेत वापरले जातात.
३. सौर पेशी: सौर पेशींच्या निर्मितीसाठी अॅल्युमिनियम नायट्राइड सारख्या पदार्थांचा वापर करावा लागतो. सब्सट्रेट म्हणून AlN-ऑन-नीलम सौर पेशींची कार्यक्षमता आणि आयुष्यमान सुधारू शकते.
४. इतर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे: AlN-ऑन-सॅफायर वेफर्सचा वापर फोटोडिटेक्टर, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि इतर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे तयार करण्यासाठी देखील केला जाऊ शकतो.
शेवटी, AlN-ऑन-सॅफायर वेफर्स त्यांच्या उच्च थर्मल चालकता, उच्च रासायनिक स्थिरता, कमी नुकसान आणि उत्कृष्ट ऑप्टिकल गुणधर्मांमुळे ऑप्टो-इलेक्ट्रिकल क्षेत्रात मोठ्या प्रमाणावर वापरले जातात.
NPSS/FSS वर ५०.८ मिमी/१०० मिमी AlN टेम्पलेट
| आयटम | शेरे | |||
| वर्णन | AlN-on-NPSS टेम्पलेट | AlN-on-FSS टेम्पलेट | ||
| वेफर व्यास | ५०.८ मिमी, १०० मिमी | |||
| सब्सट्रेट | सी-प्लेन एनपीएसएस | सी-प्लेन प्लॅनर नीलम (FSS) | ||
| सब्सट्रेट जाडी | ५०.८ मिमी, १०० मिमीसी-प्लेन प्लॅनर नीलमणी (एफएसएस) १०० मिमी: ६५० उम | |||
| AIN एपि-लेयरची जाडी | ३~४ उम (लक्ष्य: ३.३ उम) | |||
| चालकता | इन्सुलेट करणे | |||
| पृष्ठभाग | वाढले म्हणून | |||
| आरएमएस <१ एनएम | आरएमएस <२ एनएम | |||
| मागची बाजू | दळलेले | |||
| एफडब्ल्यूएचएम(००२)एक्सआरसी | < १५० आर्कसेकंद | < १५० आर्कसेकंद | ||
| एफडब्ल्यूएचएम(१०२)एक्सआरसी | < ३०० आर्कसेकंद | < ३०० आर्कसेकंद | ||
| कडा वगळणे | < २ मिमी | < ३ मिमी | ||
| प्राथमिक सपाट दिशा | अ-विमान+०.१° | |||
| प्राथमिक फ्लॅट लांबी | ५०.८ मिमी: १६+/-१ मिमी १०० मिमी: ३०+/-१ मिमी | |||
| पॅकेज | शिपिंग बॉक्स किंवा सिंगल वेफर कंटेनरमध्ये पॅक केलेले | |||
तपशीलवार आकृती
