4 इंच अर्ध-अपमानित SiC वेफर्स HPSI SIC सब्सट्रेट प्राइम प्रोडक्शन ग्रेड

संक्षिप्त वर्णन:

4-इंच हाय-प्युरिटी सेमी-इन्सुलेटेड सिलिकॉन कार्बाइड डबल-साइड पॉलिशिंग प्लेट मुख्यतः 5G कम्युनिकेशन आणि इतर फील्डमध्ये वापरली जाते, ज्याचे फायदे रेडिओ फ्रिक्वेन्सी श्रेणी, अल्ट्रा-लाँग डिस्टन्स रेकग्निशन, अँटी-इंटरफेरन्स, हाय-स्पीडमध्ये सुधारणा करतात. , मोठ्या क्षमतेच्या माहितीचे प्रसारण आणि इतर अनुप्रयोग, आणि मायक्रोवेव्ह पॉवर उपकरणे बनवण्यासाठी आदर्श सब्सट्रेट म्हणून ओळखले जाते.

आम्हाला ईमेल पाठवा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

उत्पादन तपशील

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) ही कार्बन आणि सिलिकॉन या घटकांपासून बनलेली एक संयुग अर्धसंवाहक सामग्री आहे आणि उच्च-तापमान, उच्च-वारंवारता, उच्च-शक्ती आणि उच्च-व्होल्टेज उपकरणे बनवण्यासाठी एक आदर्श सामग्री आहे.पारंपारिक सिलिकॉन सामग्री (Si) च्या तुलनेत, सिलिकॉन कार्बाइडची निषिद्ध बँड रुंदी सिलिकॉनच्या तिप्पट आहे;थर्मल चालकता सिलिकॉनच्या 4-5 पट आहे;ब्रेकडाउन व्होल्टेज सिलिकॉनच्या 8-10 पट आहे;आणि इलेक्ट्रॉन सॅच्युरेशन ड्रिफ्ट रेट सिलिकॉनच्या 2-3 पट आहे, जो आधुनिक उद्योगाच्या उच्च-शक्ती, उच्च-व्होल्टेज आणि उच्च-फ्रिक्वेंसीच्या गरजा पूर्ण करतो आणि त्याचा वापर मुख्यतः उच्च-गती, उच्च- वारंवारता, उच्च-शक्ती आणि प्रकाश-उत्सर्जक इलेक्ट्रॉनिक घटक आणि त्याच्या डाउनस्ट्रीम ऍप्लिकेशन क्षेत्रांमध्ये स्मार्ट ग्रीड, नवीन ऊर्जा वाहने, फोटोव्होल्टेइक पवन ऊर्जा, 5G संप्रेषण इत्यादींचा समावेश आहे. उर्जा उपकरणांच्या क्षेत्रात, सिलिकॉन कार्बाइड डायोड आणि MOSFETs बनण्यास सुरुवात झाली आहे. व्यावसायिकरित्या लागू.

SiC वेफर्स/SiC सब्सट्रेटचे फायदे

उच्च तापमान प्रतिकार.सिलिकॉन कार्बाइडची निषिद्ध बँड रुंदी सिलिकॉनच्या 2-3 पट आहे, त्यामुळे उच्च तापमानात इलेक्ट्रॉन उडी मारण्याची शक्यता कमी असते आणि उच्च ऑपरेटिंग तापमानाला तोंड देऊ शकतात आणि सिलिकॉन कार्बाइडची थर्मल चालकता सिलिकॉनच्या 4-5 पट आहे, ज्यामुळे डिव्हाइसमधून उष्णता नष्ट करणे सोपे आहे आणि उच्च मर्यादित ऑपरेटिंग तापमानास अनुमती देते.उच्च-तापमानाची वैशिष्ट्ये उर्जेची घनता लक्षणीयरीत्या वाढवू शकतात, उष्णतेच्या अपव्यय प्रणालीच्या आवश्यकता कमी करून, टर्मिनल अधिक हलके आणि सूक्ष्म बनवतात.

उच्च व्होल्टेज प्रतिकार.सिलिकॉन कार्बाइडचे ब्रेकडाउन फील्ड स्ट्रेंथ सिलिकॉनच्या 10 पट आहे, ज्यामुळे ते उच्च व्होल्टेजचा सामना करण्यास सक्षम होते, ज्यामुळे ते उच्च-व्होल्टेज उपकरणांसाठी अधिक योग्य बनते.

उच्च-वारंवारता प्रतिकार.सिलिकॉन कार्बाइडमध्ये सिलिकॉनच्या संपृक्ततेच्या इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट रेटच्या दुप्पट आहे, परिणामी शटडाउन प्रक्रियेत त्याची उपकरणे सध्याच्या ड्रॅग घटनेत अस्तित्वात नाहीत, डिव्हाइस स्विचिंग वारंवारता प्रभावीपणे सुधारू शकतात, डिव्हाइसचे लघुकरण साध्य करण्यासाठी.

कमी ऊर्जा नुकसान.सिलिकॉन कार्बाइडमध्ये सिलिकॉन मटेरियलच्या तुलनेत खूप कमी ऑन-रेझिस्टन्स आहे, कमी वहन कमी आहे;त्याच वेळी, सिलिकॉन कार्बाइडची उच्च बँडविड्थ गळती करंट, पॉवर लॉस लक्षणीयरीत्या कमी करते;याव्यतिरिक्त, बंद प्रक्रियेत सिलिकॉन कार्बाइड उपकरणे सध्याच्या ड्रॅग घटनेत अस्तित्वात नाहीत, कमी स्विचिंग नुकसान.