४-इंच काचेवर GaN: JGS1, JGS2, BF33 आणि सामान्य क्वार्ट्जसह सानुकूल करण्यायोग्य काचेचे पर्याय
वैशिष्ट्ये
● विस्तृत बँडगॅप:GaN मध्ये 3.4 eV बँडगॅप आहे, जो सिलिकॉन सारख्या पारंपारिक अर्धवाहक पदार्थांच्या तुलनेत उच्च-व्होल्टेज आणि उच्च-तापमान परिस्थितीत उच्च कार्यक्षमता आणि अधिक टिकाऊपणा प्रदान करतो.
● सानुकूल करण्यायोग्य काचेचे थर:वेगवेगळ्या थर्मल, मेकॅनिकल आणि ऑप्टिकल कामगिरी आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी JGS1, JGS2, BF33 आणि सामान्य क्वार्ट्ज ग्लास पर्यायांसह उपलब्ध.
●उच्च औष्णिक चालकता:GaN ची उच्च थर्मल चालकता प्रभावी उष्णता नष्ट होण्याची खात्री देते, ज्यामुळे हे वेफर्स पॉवर अॅप्लिकेशन्स आणि उच्च उष्णता निर्माण करणाऱ्या उपकरणांसाठी आदर्श बनतात.
● उच्च ब्रेकडाउन व्होल्टेज:उच्च व्होल्टेज टिकवून ठेवण्याची GaN ची क्षमता या वेफर्सना पॉवर ट्रान्झिस्टर आणि उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनवते.
● उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ती:काचेचे सब्सट्रेट्स, GaN च्या गुणधर्मांसह एकत्रितपणे, मजबूत यांत्रिक शक्ती प्रदान करतात, ज्यामुळे कठीण वातावरणात वेफरची टिकाऊपणा वाढते.
● कमी झालेले उत्पादन खर्च:पारंपारिक GaN-ऑन-सिलिकॉन किंवा GaN-ऑन-सॅफायर वेफर्सच्या तुलनेत, GaN-ऑन-ग्लास हे उच्च-कार्यक्षमता उपकरणांच्या मोठ्या प्रमाणात उत्पादनासाठी अधिक किफायतशीर उपाय आहे.
● तयार केलेले ऑप्टिकल गुणधर्म:विविध काचेच्या पर्यायांमुळे वेफरच्या ऑप्टिकल वैशिष्ट्यांचे कस्टमायझेशन शक्य होते, ज्यामुळे ते ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स आणि फोटोनिक्समधील अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनते.
तांत्रिक माहिती
| पॅरामीटर | मूल्य |
| वेफर आकार | ४-इंच |
| काचेच्या सब्सट्रेटसाठी पर्याय | JGS1, JGS2, BF33, सामान्य क्वार्ट्ज |
| GaN थराची जाडी | १०० एनएम - ५००० एनएम (सानुकूल करण्यायोग्य) |
| गॅन बँडगॅप | ३.४ eV (रुंद बँडगॅप) |
| ब्रेकडाउन व्होल्टेज | १२०० व्ही पर्यंत |
| औष्णिक चालकता | १.३ - २.१ प/सेमी·केले |
| इलेक्ट्रॉन गतिशीलता | २००० सेमी²/व्होल्टेज |
| वेफर पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा | आरएमएस ~०.२५ एनएम (एएफएम) |
| GaN शीटचा प्रतिकार | ४३७.९ Ω·सेमी² |
| प्रतिरोधकता | अर्ध-इन्सुलेटिंग, एन-प्रकार, पी-प्रकार (सानुकूल करण्यायोग्य) |
| ऑप्टिकल ट्रान्समिशन | दृश्यमान आणि अतिनील तरंगलांबींसाठी >८०% |
| वेफर वार्प | २५ µm पेक्षा कमी (जास्तीत जास्त) |
| पृष्ठभाग पूर्ण करणे | एसएसपी (एकल बाजूने पॉलिश केलेले) |
अर्ज
ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स:
GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स मोठ्या प्रमाणात वापरले जातातएलईडीआणिलेसर डायोडGaN ची उच्च कार्यक्षमता आणि ऑप्टिकल कामगिरीमुळे. काचेचे सब्सट्रेट्स निवडण्याची क्षमता जसे कीजेजीएस१आणिजेजीएस२ऑप्टिकल पारदर्शकतेमध्ये कस्टमायझेशन करण्याची परवानगी देते, ज्यामुळे ते उच्च-शक्ती, उच्च-ब्राइटनेससाठी आदर्श बनतातनिळे/हिरवे एलईडीआणियूव्ही लेसर.
फोटोनिक्स:
GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स यासाठी आदर्श आहेतफोटोडिटेक्टर, फोटोनिक इंटिग्रेटेड सर्किट्स (PICs), आणिऑप्टिकल सेन्सर्स. त्यांचे उत्कृष्ट प्रकाश प्रसारण गुणधर्म आणि उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगांमध्ये उच्च स्थिरता त्यांना योग्य बनवतेसंप्रेषणआणिसेन्सर तंत्रज्ञान.
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स:
त्यांच्या विस्तृत बँडगॅप आणि उच्च ब्रेकडाउन व्होल्टेजमुळे, GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स वापरले जातातउच्च-शक्तीचे ट्रान्झिस्टरआणिउच्च-फ्रिक्वेन्सी पॉवर रूपांतरण. उच्च व्होल्टेज आणि थर्मल डिसिपेशन हाताळण्याची GaN ची क्षमता ते परिपूर्ण बनवतेपॉवर अॅम्प्लिफायर, आरएफ पॉवर ट्रान्झिस्टर, आणिपॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सऔद्योगिक आणि ग्राहक अनुप्रयोगांमध्ये.
उच्च-वारंवारता अनुप्रयोग:
गॅन-ऑन-ग्लास वेफर्स उत्कृष्ट प्रदर्शन करतातइलेक्ट्रॉन गतिशीलताआणि उच्च स्विचिंग वेगाने ऑपरेट करू शकतात, ज्यामुळे ते आदर्श बनतातउच्च-फ्रिक्वेन्सी पॉवर उपकरणे, मायक्रोवेव्ह उपकरणे, आणिआरएफ अॅम्प्लिफायर्स. हे महत्वाचे घटक आहेत५जी कम्युनिकेशन सिस्टम्स, रडार प्रणाली, आणिउपग्रह संप्रेषण.
ऑटोमोटिव्ह अनुप्रयोग:
ऑटोमोटिव्ह पॉवर सिस्टममध्ये, विशेषतः मध्ये, GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स देखील वापरले जातातऑन-बोर्ड चार्जर्स (ओबीसी)आणिडीसी-डीसी कन्व्हर्टरइलेक्ट्रिक वाहनांसाठी (EVs). उच्च तापमान आणि व्होल्टेज हाताळण्याची वेफर्सची क्षमता त्यांना EVs साठी पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये वापरण्याची परवानगी देते, ज्यामुळे अधिक कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता मिळते.
वैद्यकीय उपकरणे:
GaN च्या गुणधर्मांमुळे ते वापरण्यासाठी एक आकर्षक साहित्य बनतेवैद्यकीय इमेजिंगआणिबायोमेडिकल सेन्सर्स. उच्च व्होल्टेजवर काम करण्याची त्याची क्षमता आणि रेडिएशनला त्याचा प्रतिकार यामुळे अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनतोनिदान उपकरणेआणिवैद्यकीय लेसर.
प्रश्नोत्तरे
प्रश्न १: GaN-ऑन-सिलिकॉन किंवा GaN-ऑन-सॅफायरच्या तुलनेत GaN-ऑन-ग्लास हा एक चांगला पर्याय का आहे?
अ१:GaN-on-glass अनेक फायदे देते, ज्यात समाविष्ट आहेखर्च-प्रभावीपणाआणिचांगले थर्मल व्यवस्थापन. GaN-ऑन-सिलिकॉन आणि GaN-ऑन-सॅफायर उत्कृष्ट कामगिरी प्रदान करतात, तर काचेचे सब्सट्रेट्स स्वस्त, अधिक सहज उपलब्ध आणि ऑप्टिकल आणि यांत्रिक गुणधर्मांच्या बाबतीत कस्टमायझ करण्यायोग्य आहेत. याव्यतिरिक्त, GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स दोन्हीमध्ये उत्कृष्ट कामगिरी प्रदान करतातऑप्टिकलआणिउच्च-शक्तीचे इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोग.
प्रश्न २: JGS1, JGS2, BF33 आणि सामान्य क्वार्ट्ज ग्लास पर्यायांमध्ये काय फरक आहे?
ए२:
- जेजीएस१आणिजेजीएस२उच्च-गुणवत्तेचे ऑप्टिकल ग्लास सब्सट्रेट्स त्यांच्यासाठी ओळखले जातातउच्च ऑप्टिकल पारदर्शकताआणिकमी थर्मल विस्तार, ज्यामुळे ते फोटोनिक आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी आदर्श बनतात.
- बीएफ३३काचेच्या ऑफरउच्च अपवर्तनांकआणि अशा अनुप्रयोगांसाठी आदर्श आहे ज्यांना वर्धित ऑप्टिकल कामगिरीची आवश्यकता आहे, जसे कीलेसर डायोड.
- सामान्य क्वार्ट्जउच्च प्रदान करतेथर्मल स्थिरताआणिकिरणोत्सर्गाचा प्रतिकार, ज्यामुळे ते उच्च-तापमान आणि कठोर पर्यावरणीय अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनते.
प्रश्न ३: मी GaN-ऑन-ग्लास वेफर्ससाठी प्रतिरोधकता आणि डोपिंग प्रकार सानुकूलित करू शकतो का?
ए३:हो, आम्ही ऑफर करतोसानुकूल करण्यायोग्य प्रतिरोधकताआणिडोपिंगचे प्रकार(एन-टाइप किंवा पी-टाइप) GaN-ऑन-ग्लास वेफर्ससाठी. ही लवचिकता वेफर्सना पॉवर डिव्हाइसेस, LEDs आणि फोटोनिक सिस्टमसह विशिष्ट अनुप्रयोगांसाठी तयार करण्यास अनुमती देते.
प्रश्न ४: ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्समध्ये GaN-ऑन-ग्लासचे सामान्य अनुप्रयोग कोणते आहेत?
ए४:ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्समध्ये, GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स सामान्यतः यासाठी वापरले जातातनिळे आणि हिरवे एलईडी, यूव्ही लेसर, आणिफोटोडिटेक्टर. काचेचे सानुकूल करण्यायोग्य ऑप्टिकल गुणधर्म उच्च असलेल्या उपकरणांना अनुमती देतातप्रकाश प्रसारण, त्यांना अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनवतेप्रदर्शन तंत्रज्ञान, प्रकाशयोजना, आणिऑप्टिकल कम्युनिकेशन सिस्टम्स.
प्रश्न ५: उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगांमध्ये GaN-ऑन-ग्लास कसे कार्य करते?
ए५:गॅन-ऑन-ग्लास वेफर्स ऑफरउत्कृष्ट इलेक्ट्रॉन गतिशीलता, त्यांना चांगली कामगिरी करण्यास अनुमती देणेउच्च-वारंवारता अनुप्रयोगजसे कीआरएफ अॅम्प्लिफायर्स, मायक्रोवेव्ह उपकरणे, आणि५जी कम्युनिकेशन सिस्टम्स. त्यांचे उच्च ब्रेकडाउन व्होल्टेज आणि कमी स्विचिंग लॉस त्यांना योग्य बनवतातउच्च-शक्तीचे आरएफ उपकरणे.
प्रश्न ६: GaN-ऑन-ग्लास वेफर्सचा सामान्य ब्रेकडाउन व्होल्टेज किती असतो?
ए६:GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स सामान्यतः ब्रेकडाउन व्होल्टेजला समर्थन देतात१२०० व्ही, त्यांना योग्य बनवणेउच्च-शक्तीचाआणिउच्च-व्होल्टेजअनुप्रयोग. त्यांच्या विस्तृत बँडगॅपमुळे ते सिलिकॉनसारख्या पारंपारिक अर्धवाहक पदार्थांपेक्षा जास्त व्होल्टेज हाताळू शकतात.
प्रश्न ७: ऑटोमोटिव्ह अनुप्रयोगांमध्ये GaN-ऑन-ग्लास वेफर्सचा वापर केला जाऊ शकतो का?
ए७:हो, GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स वापरले जातातऑटोमोटिव्ह पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, यासहडीसी-डीसी कन्व्हर्टरआणिऑन-बोर्ड चार्जर(ओबीसी) इलेक्ट्रिक वाहनांसाठी. उच्च तापमानात चालण्याची आणि उच्च व्होल्टेज हाताळण्याची त्यांची क्षमता त्यांना या कठीण अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनवते.
निष्कर्ष
आमचे GaN ऑन ग्लास ४-इंच वेफर्स ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स, पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि फोटोनिक्समधील विविध अनुप्रयोगांसाठी एक अद्वितीय आणि सानुकूल करण्यायोग्य उपाय देतात. JGS1, JGS2, BF33 आणि ऑर्डिनरी क्वार्ट्ज सारख्या काचेच्या सब्सट्रेट पर्यायांसह, हे वेफर्स यांत्रिक आणि ऑप्टिकल गुणधर्मांमध्ये बहुमुखी प्रतिभा प्रदान करतात, ज्यामुळे उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेन्सी उपकरणांसाठी तयार केलेले उपाय सक्षम होतात. LEDs, लेसर डायोड्स किंवा RF अनुप्रयोगांसाठी असो, GaN-ऑन-ग्लास वेफर्स
तपशीलवार आकृती
