नीलम एपि-लेयर वेफरवर 50.8 मिमी 2 इंच GaN
गॅलियम नायट्राइड GaN एपिटॅक्सियल शीटचा वापर
गॅलियम नायट्राइडच्या कार्यक्षमतेवर आधारित, गॅलियम नायट्राइड एपिटॅक्सियल चिप्स प्रामुख्याने उच्च शक्ती, उच्च वारंवारता आणि कमी व्होल्टेज अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहेत.
हे यात प्रतिबिंबित होते:
1) उच्च बँडगॅप: उच्च बँडगॅप गॅलियम नायट्राइड उपकरणांची व्होल्टेज पातळी सुधारते आणि गॅलियम आर्सेनाइड उपकरणांपेक्षा जास्त पॉवर आउटपुट करू शकते, जे विशेषतः 5G कम्युनिकेशन बेस स्टेशन, लष्करी रडार आणि इतर फील्डसाठी उपयुक्त आहे;
2) उच्च रूपांतरण कार्यक्षमता: गॅलियम नायट्राइड स्विचिंग पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांचा ऑन-रेझिस्टन्स सिलिकॉन उपकरणांपेक्षा 3 ऑर्डर कमी आहे, ज्यामुळे ऑन-स्विचिंग नुकसान लक्षणीयरीत्या कमी होऊ शकते;
3) उच्च औष्णिक चालकता: गॅलियम नायट्राइडची उच्च थर्मल चालकता यामुळे उच्च-शक्ती, उच्च-तापमान आणि उपकरणांच्या इतर फील्डच्या उत्पादनासाठी उत्कृष्ट उष्णता नष्ट करण्याची कार्यक्षमता आहे;
4) ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड स्ट्रेंथ: गॅलियम नायट्राइडचे ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड स्ट्रेंथ सिलिकॉन नायट्राइडच्या जवळपास असले तरी, सेमीकंडक्टर प्रक्रिया, मटेरियल लेटिस बेमेल आणि इतर कारणांमुळे, गॅलियम नायट्राइड उपकरणांची व्होल्टेज सहनशीलता साधारणतः 1000V असते आणि सुरक्षित वापर व्होल्टेज सहसा 650V पेक्षा कमी असतो.
| आयटम | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| परिमाण | e 50.8 मिमी ± 0.1 मिमी | ||
| जाडी | 4.5±0.5 um | 4.5±0.5um | |
| अभिमुखता | सी-प्लेन(0001) ±0.5° | ||
| वहन प्रकार | N-प्रकार (अनडॉप केलेले) | N-प्रकार (Si-doped) | P-प्रकार (Mg-doped) |
| प्रतिरोधकता(3O0K) | < ०.५ Q・सेमी | < ०.०५ Q・सेमी | ~ 10 Q・सेमी |
| वाहक एकाग्रता | < 5x1017सेमी-3 | > 1x1018सेमी-3 | > 6x1016 सेमी-3 |
| गतिशीलता | ~ 300 सेमी2/वि | ~ 200 सेमी2/वि | ~ 10 सेमी2/वि |
| डिस्लोकेशन घनता | 5x10 पेक्षा कमी8सेमी-2(XRD च्या FWHMs द्वारे गणना) | ||
| थर रचना | नीलम वर GaN (मानक: SSP पर्याय: DSP) | ||
| वापरण्यायोग्य पृष्ठभाग क्षेत्र | > ९०% | ||
| पॅकेज | 100 वर्गाच्या स्वच्छ खोलीच्या वातावरणात, 25pcs च्या कॅसेट किंवा सिंगल वेफर कंटेनरमध्ये, नायट्रोजन वातावरणात पॅक केलेले. | ||
* इतर जाडी सानुकूलित केली जाऊ शकते
तपशीलवार आकृती
