26 तारखेला, पॉवर क्यूब सेमीने दक्षिण कोरियाच्या पहिल्या 2300V SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) MOSFET सेमीकंडक्टरच्या यशस्वी विकासाची घोषणा केली.
विद्यमान Si (सिलिकॉन) आधारित सेमीकंडक्टरच्या तुलनेत, SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) उच्च व्होल्टेजचा सामना करू शकतो, त्यामुळे पॉवर सेमीकंडक्टरच्या भविष्यात नेतृत्व करणारे पुढच्या पिढीचे उपकरण म्हणून गौरवले जाते.इलेक्ट्रिक वाहनांचा प्रसार आणि कृत्रिम बुद्धिमत्तेद्वारे चालविल्या जाणाऱ्या डेटा सेंटर्सचा विस्तार यासारख्या अत्याधुनिक तंत्रज्ञानाचा परिचय करून देण्यासाठी हे एक महत्त्वपूर्ण घटक म्हणून काम करते.
पॉवर क्यूब सेमी ही फॅबलेस कंपनी आहे जी तीन मुख्य श्रेणींमध्ये पॉवर सेमीकंडक्टर उपकरणे विकसित करते: SiC (सिलिकॉन कार्बाइड), Si (सिलिकॉन), आणि Ga2O3 (गॅलियम ऑक्साइड).अलीकडे, कंपनीने चीनमधील जागतिक इलेक्ट्रिक वाहन कंपनीला उच्च-क्षमता असलेले Schottky Barrier Diodes (SBDs) लागू केले आणि विकले, ज्यामुळे त्याच्या सेमीकंडक्टर डिझाइन आणि तंत्रज्ञानासाठी मान्यता मिळाली.
2300V SiC MOSFET चे प्रकाशन दक्षिण कोरियातील अशा प्रकारचे पहिले विकास प्रकरण म्हणून उल्लेखनीय आहे.Infineon, जर्मनीमध्ये स्थित जागतिक पॉवर सेमीकंडक्टर कंपनीने मार्चमध्ये त्याचे 2000V उत्पादन लॉन्च करण्याची घोषणा केली, परंतु 2300V उत्पादन लाइनअपशिवाय.
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET, TO-247PLUS-4-HCC पॅकेजचा वापर करून, डिझायनर्समधील वाढीव उर्जा घनतेची मागणी पूर्ण करते, कठोर उच्च-व्होल्टेज आणि स्विचिंग फ्रिक्वेंसी परिस्थितीतही सिस्टमची विश्वासार्हता सुनिश्चित करते.
CoolSiC MOSFET उच्च डायरेक्ट करंट लिंक व्होल्टेज ऑफर करते, करंट न वाढवता पॉवर वाढवते.हे 2000V च्या ब्रेकडाउन व्होल्टेजसह बाजारात आलेले पहिले वेगळे सिलिकॉन कार्बाइड उपकरण आहे, ज्यामध्ये TO-247PLUS-4-HCC पॅकेजचा वापर 14mm च्या क्रीपेज अंतरासह आणि 5.4mm क्लिअरन्स आहे.या उपकरणांमध्ये कमी स्विचिंग तोटा आहेत आणि ते सोलर स्ट्रिंग इन्व्हर्टर, एनर्जी स्टोरेज सिस्टम आणि इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग यांसारख्या अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहेत.
CoolSiC MOSFET 2000V उत्पादन मालिका 1500V DC पर्यंत उच्च-व्होल्टेज DC बस प्रणालीसाठी योग्य आहे.1700V SiC MOSFET च्या तुलनेत, हे उपकरण 1500V DC सिस्टमसाठी पुरेसे ओव्हरव्होल्टेज मार्जिन प्रदान करते.CoolSiC MOSFET 4.5V थ्रेशोल्ड व्होल्टेज देते आणि कठोर कम्युटेशनसाठी मजबूत बॉडी डायोडसह सुसज्ज आहे..XT कनेक्शन तंत्रज्ञानासह, हे घटक उत्कृष्ट थर्मल कार्यक्षमता आणि मजबूत आर्द्रता प्रतिरोध देतात.
2000V CoolSiC MOSFET व्यतिरिक्त, Infineon लवकरच 2024 च्या तिसऱ्या तिमाहीत आणि 2024 च्या शेवटच्या तिमाहीत TO-247PLUS 4-पिन आणि TO-247-2 पॅकेजमध्ये पॅकेज केलेले पूरक CoolSiC डायोड लाँच करेल.हे डायोड विशेषतः सौर अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहेत.जुळणारे गेट ड्रायव्हर उत्पादन संयोजन देखील उपलब्ध आहेत.
CoolSiC MOSFET 2000V उत्पादन मालिका आता बाजारात उपलब्ध आहे.शिवाय, Infineon योग्य मूल्यमापन बोर्ड ऑफर करते: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.2000V वर रेट केलेल्या सर्व CoolSiC MOSFETs आणि डायोडचे तसेच EiceDRIVER कॉम्पॅक्ट सिंगल-चॅनल आयसोलेशन गेट ड्रायव्हर 1ED31xx उत्पादन मालिकेचे ड्युअल-पल्स किंवा सतत PWM ऑपरेशनद्वारे मूल्यांकन करण्यासाठी डेव्हलपर हे बोर्ड अचूक सामान्य चाचणी प्लॅटफॉर्म म्हणून वापरू शकतात.
पॉवर क्यूब सेमीचे मुख्य तंत्रज्ञान अधिकारी गुंग शिन-सू म्हणाले, "आम्ही 1700V SiC MOSFETs च्या विकास आणि मोठ्या प्रमाणात उत्पादनातील आमचा विद्यमान अनुभव 2300V पर्यंत वाढवू शकलो.
पोस्ट वेळ: एप्रिल-०८-२०२४