सब्सट्रेट
-
४H-N ८ इंच SiC सब्सट्रेट वेफर सिलिकॉन कार्बाइड डमी रिसर्च ग्रेड ५००um जाडी
-
4H-N/6H-N SiC वेफर रिसर्च उत्पादन डमी ग्रेड Dia150mm सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट
-
१२ इंच एसआयसी सब्सट्रेट सिलिकॉन कार्बाइड प्राइम ग्रेड व्यास ३०० मिमी मोठा आकार ४H-N उच्च पॉवर उपकरण उष्णता नष्ट करण्यासाठी योग्य
-
व्यास ३००x१.० मिमी जाडीचा नीलम वेफर सी-प्लेन एसएसपी/डीएसपी
-
८ इंच २०० मिमी नीलमणी सब्सट्रेट नीलमणी वेफर पातळ जाडी १ एसपी २ एसपी ०.५ मिमी ०.७५ मिमी
-
८ इंच SiC सिलिकॉन कार्बाइड वेफर ४H-N प्रकार ०.५ मिमी उत्पादन ग्रेड संशोधन ग्रेड कस्टम पॉलिश केलेले सब्सट्रेट
-
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्ससाठी HPSI SiC वेफर व्यास: 3 इंच जाडी: 350um± 25 µm
-
सिंगल क्रिस्टल Al2O3 ९९.९९९% व्यास २०० मिमी नीलम वेफर्स १.० मिमी ०.७५ मिमी जाडी
-
वाहक सी-प्लेन डीएसपी टीटीव्हीसाठी १५६ मिमी १५९ मिमी ६ इंच नीलम वेफर
-
C/A/M अक्ष ४ इंच नीलमणी वेफर्स सिंगल क्रिस्टल Al2O3, SSP DSP उच्च कडकपणा नीलमणी सब्सट्रेट
-
३ इंच उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग （HPSI）SiC वेफर ३५०um डमी ग्रेड प्राइम ग्रेड
-
पी-टाइप SiC सब्सट्रेट SiC वेफर Dia2inch नवीन उत्पादन