सॅफायर एपि-लेयर वेफर गॅलियम नायट्राइड एपिटॅक्सियल वेफरवर 100 मिमी 4 इंच GaN

(1) हायड्रोजन वातावरणात उच्च तापमान बेकिंग, नीलम सब्सट्रेट प्रथम 1050℃ पर्यंत गरम केले जाते, त्याचा उद्देश थर पृष्ठभाग स्वच्छ करणे आहे;

(2) जेव्हा सब्सट्रेटचे तापमान 510℃ पर्यंत खाली येते, तेव्हा 30nm जाडीचा कमी-तापमानाचा GaN/AlN बफर लेयर नीलम सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर जमा होतो;

(3) तापमान 10 ℃ पर्यंत वाढते, प्रतिक्रिया वायू अमोनिया, ट्रायमेथिलगॅलियम आणि सिलेन अनुक्रमे इंजेक्ट केले जातात, अनुक्रमे संबंधित प्रवाह दर नियंत्रित करतात आणि 4um जाडीचे सिलिकॉन-डोपड एन-टाइप GaN वाढवले ​​जाते;

(4) ट्रायमिथाइल ॲल्युमिनियम आणि ट्रायमिथाइल गॅलियमचा प्रतिक्रिया वायू सिलिकॉन-डोपड एन-टाइप A⒑ खंड तयार करण्यासाठी वापरला गेला ज्याची जाडी 0.15um आहे;

(5) 50nm Zn-doped InGaN 8O0℃ तापमानात ट्रायमिथिलगॅलियम, ट्रायमेथिलिंडियम, डायथिलझिंक आणि अमोनिया इंजेक्ट करून आणि अनुक्रमे भिन्न प्रवाह दर नियंत्रित करून तयार केले गेले;

(6) तापमान 1020 डिग्री सेल्सियस पर्यंत वाढवले ​​गेले, ट्रायमेथिलाल्युमिनियम, ट्रायमेथिलगॅलियम आणि बीआयएस (सायक्लोपेंटाडीनिल) मॅग्नेशियम 0.15um Mg doped P-type AlGaN आणि 0.5um Mg doped P-type G रक्त ग्लुकोज तयार करण्यासाठी इंजेक्ट केले गेले;

(७) उच्च दर्जाची P-प्रकार GaN Sibuyan फिल्म नायट्रोजन वातावरणात 700℃ वर ऍनिलिंग करून मिळवली गेली;

(8) N-प्रकार G स्टेसिस पृष्ठभाग उघड करण्यासाठी P-प्रकार G स्टेसिस पृष्ठभागावर कोरीवकाम;

(9) p-GaNI पृष्ठभागावरील Ni/A संपर्क प्लेट्सचे बाष्पीभवन, इलेक्ट्रोड तयार करण्यासाठी ll-GaN पृष्ठभागावरील △/Al संपर्क प्लेट्सचे बाष्पीभवन.